Репортаж от Wedoany，15 июля южнокорейская Samsung Electronics планирует построить новый завод по производству пластин DRAM в полупроводниковом комплексе Кихын в городе Йонъин, провинция Кёнгидо, Республика Корея. Завод рассчитан на ежемесячную мощность около 100 000 пластин, а объем инвестиций, как ожидается, достигнет десятков триллионов вон. Строительство может начаться уже в третьем квартале 2026 года. В настоящее время раскрытая информация все еще относится к планам строительства завода; конкретный объем инвестиций, технологический маршрут и сроки ввода в эксплуатацию еще предстоит подтвердить южнокорейской Samsung Electronics.
Исходя из простого пересчета плана ежемесячного выпуска 100 000 пластин, годовая мощность этого полупроводникового завода по загрузке пластин после выхода на полную мощность составит около 1,2 миллиона штук. Дополнительные мощности позволят комплексу Кихын снова взять на себя более масштабные задачи по производству DRAM и расширить возможности южнокорейской Samsung Electronics по поставкам микросхем памяти для серверов искусственного интеллекта, центров обработки данных и рынка потребительской электроники. Однако в имеющихся сообщениях пока не указано, какое поколение техпроцесса будет использоваться на новом заводе, а также не уточняется, будут ли все мощности направлены на производство высокоскоростной памяти, поэтому его нельзя напрямую считать специализированной линией по производству пластин HBM.
Территория, где планируется построить полупроводниковый завод, изначально предназначалась для расширения научно-исследовательских объектов. В связи с ростом инвестиций в инфраструктуру искусственного интеллекта и увеличением спроса на серверную DRAM и высокоскоростную память, южнокорейская Samsung Electronics, по имеющимся данным, приняла решение скорректировать целевое назначение части земель, преобразовав первоначальные планы по созданию исследовательских объектов в крупномасштабные производственные мощности. Для удовлетворения потребностей производства пластин компания также может демонтировать некоторые существующие здания в комплексе Кихын, чтобы освободить место для вспомогательных объектов завода, энергетических систем и сопутствующего производственного оборудования.
Планируемый завод DRAM не является тем же проектом, что и существующий научно-исследовательский центр полупроводников NRD-K в комплексе Кихын. NRD-K занимает площадь около 109 000 квадратных метров. Южнокорейская Samsung Electronics планирует инвестировать в него около 20 триллионов вон к 2030 году. Специализированная исследовательская производственная линия изначально должна была начать работу в середине 2025 года, в основном для разработки микросхем памяти следующего поколения, системных полупроводников и технологий производства пластин. Новый завод, напротив, ориентирован на расширение коммерческих производственных мощностей, с основной целью создания масштабных поставок объемом около 100 000 пластин в месяц.
В последнее время южнокорейская Samsung Electronics также продвигает другие проекты по наращиванию мощностей для производства микросхем памяти. Компания расширяет передовые линии по производству DRAM в комплексе Пхёнтхэк и планирует перенести сроки ввода в эксплуатацию первого завода по производству пластин в полупроводниковом кластере Йонъин на 2029 год. Если строительство нового завода в Кихыне начнется по плану, он вместе с производственными базами в Пхёнтхэке и Йонъине сформирует новый раунд расширения производства пластин южнокорейской Samsung Electronics.
Поскольку проект еще не вступил в стадию строительства, в дальнейшем необходимо следить за тем, одобрит ли южнокорейская Samsung Electronics инвестиции официально, а также за планами по закупкам для строительства заводских корпусов, чистых помещений, систем сверхчистой воды, специальных газов, электроснабжения и распределения, систем очистки отходящих газов и оборудования для производства пластин. Только после официального утверждения инвестиционного плана и сроков начала строительства новые производственные мощности в 100 000 пластин в месяц перейдут в стадию фактической реализации.
