Южнокорейская Samsung планирует использовать 3-нм техпроцесс TSMC для производства заказных чипов HBM для NVIDIA

Репортаж от Wedoany，18 октября источники в южнокорейской полупроводниковой отрасли сообщили, что Samsung Electronics планирует использовать 3-нм техпроцесс TSMC для производства базовых кристаллов (base die) заказной высокоскоростной памяти NVHBM следующего поколения для NVIDIA. NVIDIA потребовала от Samsung Electronics, SK Hynix и Micron унифицированно использовать 3-нм техпроцесс TSMC для изготовления базовых кристаллов, а для производства основных кристаллов памяти применять 1c DRAM-процесс шестого поколения (10-нм класс). Сообщается, что Samsung после внутреннего рассмотрения приняла соответствующие требования, и стороны впервые планируют сотрудничество на этапе производства чипов HBM.

Ранее Samsung использовала собственную производственную модель: базовые кристаллы HBM выпускало её подразделение контрактного производства, а основные кристаллы — подразделение памяти. В настоящее время в продуктах Samsung HBM4 и HBM4E, проходящих валидацию для серийного производства, базовые кристаллы изготавливаются по собственному 4-нм техпроцессу, а основные кристаллы — на линиях 1c DRAM заводов в Хвасоне и Пхёнтхэке. Согласно обнародованному плану, Samsung сохранит собственную производственную модель для стандартных HBM и заказных продуктов для других клиентов, включая AMD.

NVIDIA представила технологию NVHBM 26 августа, интегрировав заказной контроллер памяти в базовый кристалл HBM. Согласно опубликованной архитектуре, по сравнению со стандартной HBM4E NVHBM обеспечивает увеличение пропускной способности памяти на один стек до 30%, снижение энергопотребления HBM на 15% и высвобождение до 25% площади вычислительного чипа XPU. NVIDIA планирует, что несколько поставщиков памяти будут поставлять продукты NVHBM с единой архитектурой, что сократит работы по адаптации и валидации продуктов разных производителей.

Samsung и TSMC ранее уже сотрудничали в области совместимости передовых процессов упаковки, необходимых для подключения HBM к графическим процессорам. Предлагаемая производственная договорённость распространяет сотрудничество на выпуск базовых кристаллов. Источники в южнокорейской полупроводниковой отрасли также сообщили, что Samsung проверяет возможность производства базовых кристаллов NVHBM с использованием собственного 2-нм контрактного техпроцесса, чтобы компенсировать возможные ограничения поставок на соответствующих линиях TSMC в будущем.