DARPA и BAE завершили первый этап отвода тепла от GaN-устройств: плотность мощности увеличена в пять раз

2026-08-17 09:51
В избр.

Репортаж от Wedoany,Исследовательская организация FAST Labs компании BAE Systems завершила первый этап проекта «Технологии отвода тепла в электронике на уровне устройств» (Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale, THREADS) Агентства перспективных оборонных исследовательских проектов США (DARPA) и была отобрана для участия во втором этапе. Проект направлен на решение проблемы отвода тепла от устройств на основе нитрида галлия (GaN), которые широко применяются в высокопроизводительных радарах, системах радиоэлектронной борьбы и связи.

DARPA и BAE Systems решают проблему отвода тепла от электронных устройств следующего поколения на основе GaN

Повышение мощности радиочастотных транзисторов приводит к выделению большего количества тепла; если тепло не отводится эффективно, производительность и надёжность транзисторов снижаются, поэтому электронные устройства часто не могут работать на своём теоретическом пределе мощности. DARPA запустила проект THREADS, чтобы решить проблему отвода тепла изнутри устройства, а не только путём установки традиционных систем охлаждения снаружи. Проект сталкивается с двумя основными техническими задачами: во-первых, снижение теплового сопротивления внутри транзистора при сохранении электрических характеристик; во-вторых, эффективный отвод тепла от областей мощных транзисторов без ухудшения радиочастотных характеристик.

GaN — это полупроводник с широкой запрещённой зоной, способный работать при более высокой плотности мощности и частоте, что делает его пригодным для современных радаров с активной фазированной антенной решёткой (АФАР) и систем радиоэлектронной борьбы. DARPA ранее отмечало, что плотность мощности GaN уже более чем в пять раз выше по сравнению с ранними транзисторными технологиями, однако при преодолении теплового барьера теоретически существует ещё больший потенциал для роста. Цель DARPA в проекте THREADS — снизить тепловое сопротивление в восемь раз и достичь плотности мощности 81 Вт/мм для испытательных устройств X-диапазона — транзисторов и усилителей мощности.

Решение проблемы отвода тепла оказывает значительное влияние на характеристики на системном уровне. DARPA ранее оценивало, что устранение тепловых ограничений может увеличить дальность обнаружения радаров в два-три раза. Согласно последнему обновлению агентства, участники проекта THREADS на первом этапе повысили радиочастотную плотность мощности примерно в пять раз по сравнению с текущим передовым уровнем, что эквивалентно примерно удвоению дальности обнаружения радаров при сохранении надёжности, необходимой для боевого применения. Однако не каждый радар с технологией THREADS автоматически удвоит дальность действия; фактические характеристики радара также зависят от характеристик антенны, частоты, размера цели, атмосферных условий и обработки сигналов.

BAE Systems продвигает соответствующую работу в своём микроэлектронном центре в Нашуа, штат Нью-Гэмпшир, где разрабатываются и производятся интегральные схемы на основе GaN и арсенида галлия для оборонных применений. Проект THREADS реализуется в сотрудничестве с компанией Modern Microsystems, а также с исследователями из Университета штата Пенсильвания, Стэнфордского университета, Университета Нотр-Дам и Техасского университета в Далласе.

Проект THREADS является частью долгосрочных исследований, направленных на повышение способности отвода тепла от электронных устройств на основе GaN. Ранее DARPA продемонстрировало GaN-транзисторы на алмазной подложке в рамках проекта «Теплоперенос вблизи перехода» (Near Junction Thermal Transport), используя высокую теплопроводность алмаза для снижения температуры перехода транзистора. THREADS развивает эти исследования, изучая материалы, структуры устройств и методы непосредственного отвода тепла на уровне транзистора. Для BAE Systems переход ко второму этапу означает переход от предварительных исследований к дальнейшей разработке и проверке технических решений, конечная цель которых — не просто создание транзисторов с более низкой температурой, а реализация радиочастотных устройств, способных генерировать значительно более высокую мощность без увеличения размеров, снижения надёжности и без тепловых ограничений.

Эта новость является результатом компиляции и перепечатки информации из глобального Интернета и стратегических партнеров. Она предназначена только для читателей. Если у вас возникнут какие-либо нарушения или другие проблемы, пожалуйста, своевременно сообщите нам. Этот сайт изменить или удалить ее. Перепечатка этой статьи без официального разрешения строго запрещена.электронная почта:news@wedoany.com

Связанные продукты

WiFi-локальный переходник - CREATEC
Планшетный портативный спутниковый терминал  Ручной портативный терминал с антенной диаметром 0,35 м - China Starwin Science & Technology co., Ltd.
Антенные системы и сопутствующая электронная продукция - Chengdu Zhongdian Jinjiang Information Industry Co., Ltd.
Префабрикованный модуль центра обработки данных - INSPUR Co., Ltd.
Т профиль шкафа - Xinli Tongchuang Electronic Equipment Co., Ltd.
Автоматический патрульный робот/автоматический робот безопасности - FOTUN HONGKONG LIMITED
Решения для систем безопасности SIS - Beijing Consen Automation Technology Co., Ltd.
Беспроводная локальная сеть | Точка доступа AirEngine 5776-56T - Huawei
Комплексные услуги персонального менеджера полного цикла для системной интеграции логистики - Zhongding Intelligent (Wuxi) Technology Co., Ltd.
QPS-20A Резервированный переключатель питания - CHN ENERGY ZHISHEN CONTROL TECHNOLOGY CO., LTD.
Беспилотный рефрижератор Neolix X6 - Neolix Beijing Technology Co., Ltd.
Решение для защиты офиса от утечки данных - Sangfor Technologies Inc.
Читайте также
Infineon откроет новый завод в Таиланде 1 октября, инвестиции превысят 48 млрд тайских батов
2026-10-01
Qualcomm оценивает 2-нм техпроцесс Samsung для чипов следующего поколения
2026-09-29
Samsung Electro-Mechanics инвестирует 4,27 трлн вон в расширение производства упаковочных подложек в Корее
2026-09-28
Первые процессоры Rhea1 от французской компании SiPearl поставлены для европейского суперкомпьютера экзафлопсного класса
2026-09-28
Китайская компания Archimedes Semiconductor завершила первую поставку алмазных SiC-модулей
2026-09-28
Китайская компания Montage Technology запустила серийное производство чипов RCD пятого поколения DDR5
2026-09-28
Американская команда подтвердила наличие собственной антиферроэлектричности у оксида гафния
2026-09-27
GSME и Teradyne построят центр тестирования полупроводников в Кремниевой долине, запуск — в четвёртом квартале
2026-09-24
SEALSQ и WISeKey расширяют сеть квантово-безопасной инфраструктуры Quantum Highway
2026-09-23
MediaTek выпускает первый чип вычислительной платформы Dimensity CX C10 Max
2026-09-23