Репортаж от Wedoany，Утром 11 августа в Чанчжоу провинции Цзянсу состоялась церемония подписания соглашения о создании научно-исследовательской и производственной базы Vertilite для высококлассных оптоэлектронных чипов и компонентов связи. В рамках данного проекта планируется поэтапно инвестировать около 5 млрд юаней, с акцентом на создание линий по разработке и массовому производству высококлассных лазерных чипов на основе фосфида индия. В настоящее время проект находится на стадии подписания соглашения.
Новая база будет сосредоточена на разработке и масштабном массовом производстве высококлассных лазерных чипов на основе фосфида индия, охватывая этапы исследований, разработки и производства оптических чипов. На основе подписания данного проекта Vertilite продолжит увеличивать инвестиции в научно-исследовательские и производственные мощности, способствуя переходу соответствующей продукции к серийному промышленному производству.
Компания Vertilite, основанная в 2015 году, работает по интегрированной модели IDM, объединяющей проектирование чипов, эпитаксиальный рост, производство пластин и сборку с тестированием, и уже сформировала возможности по производству оптических чипов на основе арсенида галлия и фосфида индия. Продукция компании в основном используется в таких областях, как 3D-сенсорика для потребительской электроники, автомобильные лидары и высокоскоростная оптическая связь.
В 2018 году компания вошла в Национальную зону высоких технологий Уцзинь города Чанчжоу. В сентябре 2025 года проект Vertilite по производству высококлассных оптоэлектронных чипов для связи с инвестициями 550 млн юаней был завершен и введен в эксплуатацию на местной площадке. Проект занимает площадь 40 му, площадь зданий составляет около 28 тыс. квадратных метров, что обеспечило создание мощностей по массовому производству чипов на основе арсенида галлия и фосфида индия.
Подписанный на этот раз проект с инвестициями около 5 млрд юаней представляет собой новые дополнительные инвестиции Vertilite в Чанчжоу. Масштаб инвестиций, содержание строительства и сроки подписания отличаются от проекта стоимостью 550 млн юаней, введенного в эксплуатацию в 2025 году. Новые производственные линии будут дополнительно ориентированы на разработку и массовое производство высококлассных лазерных чипов на основе фосфида индия.
