Репортаж от Wedoany，Компания Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation выпустила 80-В N-канальный силовой MOSFET «TPM1R408RH», изготовленный по новейшей технологии U-MOS11-H. Устройство предназначено для импульсных источников питания промышленного оборудования, включая AI-центры обработки данных и базовые станции связи. Поставки начинаются с сегодняшнего дня.
Масштабы обработки данных AI продолжают расти, что увеличивает потребность в энергопотреблении центров обработки данных. Развитие телекоммуникационной инфраструктуры также предъявляет более высокие требования к импульсным источникам питания в отношении эффективности, миниатюризации (высокой плотности мощности) и низкого электромагнитного излучения (EMI). Потери мощности напрямую влияют на энергопотребление системы, тепловыделение и нагрузку на охлаждение, поэтому требуются силовые полупроводники, способные сбалансированно снижать потери проводимости и переключения, чтобы оптимизировать общую производительность системы, включая подавление EMI, терморегулирование и удобство монтажа.
TPM1R408RH использует оптимизированную структуру кристалла. Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 1,4 мОм, что примерно на 26% ниже по сравнению с 80-В продуктом Toshiba «TPM1R908QM», изготовленным по предыдущей технологии U-MOS X-H. Кроме того, улучшен баланс между сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)) и общим зарядом затвора (Qg). Добротность RDS(ON)×Qg снижена примерно на 45% по сравнению с TPM1R908QM. Эти характеристики обеспечивают одни из самых низких в отрасли показателей потерь мощности.
TPM1R408RH также подавляет выбросы напряжения между стоком и истоком в процессе переключения, что способствует снижению EMI в импульсных источниках питания. Подавление EMI часто требует доработок на поздних этапах проектирования, а подавление собственных выбросов напряжения компонента позволяет сократить потребность в таких доработках и упростить фильтры и демпфирующие цепи.
Новый продукт выпускается в корпусе SOP Advance (E). По сравнению с существующим корпусом Toshiba SOP Advance (N), сопротивление корпуса снижено примерно на 65%, а тепловое сопротивление — примерно на 15%. Благодаря снижению тепловыделения и улучшению отвода тепла этот корпус поддерживает более высокую выходную мощность и более компактную конструкцию источника питания.
Toshiba также предлагает инструменты поддержки проектирования схем импульсных источников питания. Помимо SPICE-моделей G0 для быстрой проверки функциональности схем, теперь доступны высокоточные SPICE-модели G2, точно воспроизводящие переходные характеристики. Онлайн-симулятор схем на веб-сайте Toshiba позволяет пользователям проверять работу схемы непосредственно в веб-браузере без необходимости настройки среды моделирования или загрузки моделей компонентов.
Toshiba продолжит расширять линейку силовых MOSFET, способствующих повышению эффективности источников питания, чтобы помочь снизить энергопотребление промышленного оборудования.
Данный продукт предназначен для промышленного оборудования, такого как импульсные источники питания AI-центров обработки данных и базовых станций связи. Его основные характеристики включают: низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии, RDS(ON) = 1,4 мОм (макс., VGS = 10 В, ID = 50 А, Ta = 25 °C); низкое произведение сопротивления сток-исток в открытом состоянии на общий заряд затвора, RDS(ON)×Qg = 1,4 мОм × 80 нКл = 112 мОм·нКл (примерно на 45% ниже по сравнению с TPM1R908QM: 1,9 мОм × 108 нКл = 205,2 мОм·нКл); корпус SOP Advance (E) с низким сопротивлением и низким тепловым сопротивлением. Основные спецификации (если не указано иное, Ta = 25 °C) приведены ниже:
Примечание: [1] По состоянию на июнь 2026 г., на основе технологии низковольтных силовых MOSFET Toshiba. [2] VGS = 10 В, ID = 50 А, Ta = 25 °C. [3] По данным исследования Toshiba на июнь 2026 г.
