Репортаж от Wedoany，Недавно 55-й НИИ Китайской электронной корпорации (CETC) объявил, что поставки самостоятельно разработанных кремниевых GaN-радиочастотных чипов для интеллектуальных терминалов превысили 5 миллионов штук. Данная продукция используется в радиочастотных трактах интеллектуальных терминалов, что знаменует собой выход кремниевых GaN-радиочастотных чипов на этап крупномасштабного коммерческого применения на стороне терминалов, а также обеспечивает поддержку для таких направлений, как информационные сети «воздух-космос-земля», связь 6G, коммерческая космонавтика, низковысотная экономика и аварийная связь, предоставляя более дешевые и высокопроизводительные радиочастотные усилители мощности.
Ключевое значение этого достижения заключается не только в «превышении отметки в 5 миллионов поставленных штук», но и в том, что технологический маршрут кремниевого GaN начинает переходить от высококлассных специализированных сценариев к более масштабным применениям в интеллектуальных терминалах. Чипы радиочастотных усилителей мощности обычно считаются «сердцем сигнала» коммуникационных систем, определяя мощность, эффективность, линейность и стабильность передаваемого сигнала терминала, что напрямую влияет на дальность связи, качество канала, скорость передачи и время автономной работы устройства. Традиционные GaN-приборы обладают высокой плотностью мощности, высокой эффективностью и высокочастотными характеристиками, однако их стоимость, зрелость технологического процесса, процент выхода годных и возможности крупносерийного производства долгое время сдерживали их применение на более масштабном рынке терминалов. Кремниевый GaN, создавая систему материалов GaN на кремниевой подложке, сочетает в себе высокопроизводительные преимущества GaN и экономическую эффективность и производственную базу кремниевой технологии, что делает его более подходящим для перехода от мелкосерийного применения к поставкам в миллионах и десятках миллионов штук. 55-й НИИ CETC и его дочерняя компания Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. провели полномасштабные исследования и разработки, охватывающие эпитаксиальное выращивание материалов, самостоятельное проектирование чипов, отработку комплексного технологического процесса и тестирование надежности продукции, сформировав серию продуктов, включая подсистемы связи для спутниковой нагрузки, терминалы связи для низковысотных платформ и цифровые телеметрические модули, наземные шлюзовые станции и радиочастотные чипы для интеллектуальных терминалов, заложив основу для перехода технологии кремниевого GaN от точечных прорывов к инженерному применению.
Требования к радиочастотным чипам со стороны информационных сетей «воздух-космос-земля» становятся все более сложными: терминалы должны поддерживать стабильное соединение между наземными сотовыми сетями, спутниковыми каналами связи, низковысотными платформами и средами аварийной связи, при этом чипы усилителей мощности должны обладать не только высокой эффективностью, но и широким диапазоном частот, высокой линейностью и высокой надежностью.
С точки зрения промышленного применения, недорогие и высокопроизводительные чипы PA становятся ключевым компонентом для модернизации будущих коммуникационных терминалов. Разработка 6G, коммерческая космонавтика, низковысотная экономика, беспилотные системы, аварийная связь и широкополосный доступ в отдаленных районах требуют, чтобы большее количество терминалов обладало возможностями кросс-сценарной связи. Если стоимость радиочастотных чипов слишком высока, энергопотребление слишком велико или надежность недостаточна, то сети «воздух-космос-земля» будет трудно развернуть в массовом порядке в обычных терминалах, низковысотных платформах, портативных устройствах и специализированных отраслевых терминалах. Крупномасштабная коммерциализация кремниевых GaN-радиочастотных чипов означает, что возможности высокой мощности, высокой эффективности, сверхширокой полосы частот и высокой надежности могут быть реализованы в более широком спектре устройств с контролируемой стоимостью. Для производителей терминалов это способствует повышению стабильности каналов связи и адаптации к различным сценариям; для операторов и компаний спутникового интернета улучшение радиочастотных возможностей на стороне терминала может улучшить качество соединения на границах покрытия и в условиях слабого сигнала; для сценариев низковысотной экономики и аварийной связи высокопроизводительные чипы PA напрямую связаны с надежной передачей данных дронами, низковысотными платформами, мобильными командными терминалами и полевым коммуникационным оборудованием.
Дальнейшая ценность таких чипов будет зависеть от устойчивости массового производства, скорости адаптации к требованиям конечных клиентов, охвата продуктов в различных частотных диапазонах и результатов проверки надежности. Поставки, превысившие 5 миллионов штук, уже доказали, что кремниевые GaN-радиочастотные чипы обладают основой для выхода на массовый рынок терминалов, однако для перехода от прорыва в одном продукте к формированию промышленной экосистемы необходима более тесная координация с производителями модулей, производителями готовых терминалов, компаниями коммуникационного оборудования и системными интеграторами. С ускорением строительства информационных сетей «воздух-космос-земля» радиочастотные чипы превратятся из базовых компонентов в цепочке коммуникационной промышленности в ключевую базовую возможность, определяющую будущее глобальное покрытие и высокоскоростной взаимосвязанный опыт.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
