Завод Kioxia и SanDisk Semiconductor Fab2 запустил в эксплуатацию 218-слойную 3D-флэш-память

Недавно Kioxia (Kioxia) и Sandisk (Sandisk) объявили об официальном вводе в эксплуатацию своего завода по производству передовых полупроводников — Fab2 (K2), расположенного на заводе Китаками в японской префектуре Иватэ.

По словам Kioxia, Fab2 способна производить 218-слойную 3D-флэш-память восьмого поколения, использует революционную технологию компании CBA (CMOS Direct Bonding Array) и поддерживает будущие передовые узлы 3D-флэш-памяти для удовлетворения растущего спроса на рынке хранения данных, управляемом искусственным интеллектом (AI). Производственные мощности Fab2 будут постепенно наращиваться в соответствии с рыночными тенденциями, а серийное производство ожидается в первой половине 2026 года.

Кроме того, завод Fab2 использует амортизирующую строительную конструкцию и оснащен самым современным энергосберегающим производственным оборудованием. Завод использует искусственный интеллект для повышения эффективности производства, использует пространственно-экономичный дизайн объектов и расширяет доступное пространство для производственного оборудования в чистых помещениях. Согласно плану, утвержденному в феврале 2024 года, часть инвестиций в Fab2 будет субсидирована японским правительством.

"Мы рады открыть новый завод Fab2 на заводе в Китаками. Восьмое поколение и последующие продукты 3D-флэш-памяти, производимые Fab2, создадут новую ценность для быстро растущего рынка искусственного интеллекта", — сказал Коитиро Шибаяма, президент и генеральный директор Kioxia Iwate Co., Ltd., который отвечает за эксплуатацию завода в Китаками.

Kioxia и SanDisk успешно сотрудничают более 20 лет. В конце 2023 года Kioxia и SanDisk объединили усилия для выпуска первого в мире 332-слойного BiCS 3D NAND, плотность одного слоя достигла 36,4 Гб/мм2, а скорость интерфейса превысила 4,8 Гб/с, что увеличило емкость хранения на ватт. Эта технология заложила основу для последующих исследований и разработок 1000 и даже более слоев.

В феврале 2025 года стороны совместно выпустили новое поколение технологии интерфейса NAND 4,8 Гб/с в Дюссельдорфе, Германия, которая сочетает в себе энергопотребление и производительность и ориентирована на рынок SSD корпоративного класса и высокопроизводительных вычислений.

В июле 2025 года Kioxia и SanDisk начали поставлять партнерам образцы BiCS9, который использует гибридную архитектуру 112-слойного BiCS5 в сочетании с современным CBA и оснащен интерфейсом Toggle 6.0 для более высокой скорости чтения и записи и экономической эффективности.