Репортаж от Wedoany,Американский производитель полупроводниковой памяти Micron Technology опубликует финансовый отчёт за третий квартал 24 июня, что станет первым ключевым сигналом для проверки того, продолжится ли суперцикл в сфере памяти, вызванный бумом инвестиций в ИИ. Поскольку Micron публикует результаты раньше Samsung Electronics и SK Hynix, её отчёт рассматривается как опережающий индикатор отрасли для понимания динамики цен на DRAM, спроса на высокоскоростную память (HBM) и заказов ключевых клиентов. Рынок уделяет особое внимание дорожной карте HBM4 и HBM4E, а также планам капитальных расходов. Эти данные могут стать водоразделом для оценки продолжительности сильного ценового цикла на память и эволюции конкурентной борьбы за HBM следующего поколения.
![[Фото=Reuters NewsPim]](https://img.wedoany.com/2026/0623/20260623013848900.jpg)
Рынок ожидает, что выручка Micron в третьем квартале составит 34,8 миллиарда долларов США (около 53 триллионов вон), а прибыль на акцию — 19,82 доллара США, что более чем на 60% превышает показатель предыдущего квартала в 12,20 доллара США. Ранее компания давала прогноз по валовой марже на уровне 81%. Если фактический показатель достигнет этого уровня, это может быть истолковано как вступление отрасли памяти в более сильную фазу роста по сравнению с прошлым. Отчёт Micron привлекает внимание благодаря своей сильной роли опережающего индикатора отрасли. В преддверии публикации результатов Samsung Electronics и SK Hynix в следующем месяце Micron первой раскрывает динамику заказов ключевых клиентов, тенденции цен на память и планы по расширению производственных мощностей. В последнее время на рынке памяти одновременно наблюдается резкий рост спроса на HBM, вызванный расширением инвестиций в ИИ-серверы, и скачок цен на универсальную DRAM. По данным исследовательской фирмы TrendForce, в первом квартале этого года цены на универсальную DRAM по фиксированным контрактам выросли на 93–98% по сравнению с предыдущим кварталом, а во втором квартале ожидается дальнейший рост на 58–63%. Ужесточение предложения серверной памяти и даже мобильной DRAM вынуждает клиентов соглашаться на повышение цен и бороться за поставки. Недавнее официальное упоминание Apple о росте затрат из-за повышения цен на память также рассматривается как отражение рыночной ситуации.
Отрасль больше всего интересует конкурентная борьба за HBM следующего поколения. В ходе публикации этого отчёта, скорее всего, будут раскрыты подробности разработки HBM4 и HBM4E, соответствующих следующей ИИ-платформе Nvidia «Vera Rubin» и её последующему продукту «Rubin Ultra». Samsung Electronics уже в прошлом месяце начала поставки образцов HBM4E, а SK Hynix недавно предоставила ключевым клиентам 12-слойные образцы HBM4E, ускоряя технологическую гонку. Micron также разрабатывает HBM4E с целью начала массового производства в следующем году. По мере того как Nvidia ускоряет цикл смены поколений ИИ-ускорителей, борьба за рынок HBM следующего поколения становится всё более ожесточённой. Отрасль особенно интересуется тем, насколько конкретно Micron раскроет дорожную карту после HBM4 и планы по мощностям. Учитывая, что Samsung Electronics и SK Hynix уже рассматривают HBM4E как двигатель роста следующего поколения, стратегия Micron станет важным ключом к пониманию будущей конкурентной структуры трёх гигантов памяти.
Планы капитальных расходов также являются ключевой переменной. Micron планирует увеличить объём капитальных расходов в этом году до более чем 25 миллиардов долларов США (около 38 триллионов вон), что превышает рыночные ожидания. Ожидается, что компания продолжит увеличивать инвестиции и в следующем году, однако массовый выход новых мощностей на рынок прогнозируется не ранее следующего года. Представитель полупроводниковой отрасли отметил, что ключевым в отчёте Micron на этот раз являются не цифры, а перспективы спроса и предложения. Если будет подан сигнал о том, что «на фоне расширения инвестиций в ИИ дефицит предложения сохранится в течение длительного времени», то тенденция роста цен на память может оказаться более устойчивой, чем ожидалось.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com









