Репортаж от Wedoany，Американская полупроводниковая компания Wolfspeed представила платформу MOSFET пятого поколения на основе карбида кремния (SiC), предназначенную для автомобильных и промышленных систем электропитания следующего поколения с напряжением 1200 В и 750 В. Платформа направлена на снижение удельного сопротивления в открытом состоянии (RSP) и улучшение характеристик при высоких температурах. По сравнению с существующими конкурирующими решениями на основе SiC с напряжением 1200 В, новая технология позволяет снизить RSP до 27%, что напрямую уменьшает потери проводимости, помогая разработчикам систем повысить токовую нагрузку, улучшить КПД инверторов и уменьшить общие габариты.
Первыми выпущенными устройствами являются модели QEM50120-025D10 на 1200 В и QEM50075-025D10 на 750 В. Устройство на 1200 В обеспечивает чип-уровневое RSP 3,4 мОм·см² при 175 °C, а версия на 750 В достигает 2,0 мОм·см² при той же температуре. Оба класса напряжения имеют строгое распределение RDS(ON) с допуском ±18%, что помогает уменьшить требования к запасу по проектированию в высокопроизводительных системах.
Новые MOSFET подходят для тяговых инверторов электромобилей, бортовых зарядных устройств, инфраструктуры быстрой зарядки, промышленных источников питания и твердотельных защитных систем. Сниженные потери проводимости и переключения позволяют увеличить запас хода транспортных средств, уменьшить размеры системы охлаждения и повысить плотность мощности; в платформах электромобилей это обеспечивает более компактную конструкцию инвертора и может снизить требования к размеру батареи для заданного запаса хода.
Устройства Gen 5 сохраняют структуру мягкого корпусного диода, внедренную в предыдущем поколении, при этом максимальная непрерывная температура перехода расширена до 200 °C, а работа с ограниченным сроком службы возможна до 215 °C. Такое сочетание улучшает характеристики обратного восстановления и общие переключательные свойства, одновременно поддерживая долгосрочную надежность системы в суровых условиях. Производство основано на платформе изготовления SiC на 200 мм на заводе Wolfspeed в долине Мохок (Mohawk Valley) в Нью-Йорке. Продукция нового поколения прошла проектирование и сертификацию, готова к массовому производству с использованием существующей инфраструктуры, обеспечивающей быстрый запуск, и клиентам не требуется новое производственное оборудование для перехода от проверки проектов к выпуску.
Первые образцы устройств Gen 5, QEM50120-025D10 и QEM50075-025D10, уже доступны для отдельных клиентов. Ожидается, что в течение 2026 года и до начала 2027 года будут представлены дополнительные продукты на 750 В и 1200 В.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
