Micron представила первый в мире 512-ГБ модуль DDR5 RDIMM, серийное производство — во второй половине 2027 года

Репортаж от Wedoany，15 сентября компания Micron Technology объявила об успешной демонстрации первого в мире 512-ГБ регистрового модуля памяти DDR5 (RDIMM) на нескольких серверных платформах. Максимальная скорость передачи данных модуля достигает 9200 MT/s; в настоящее время AMD и Intel проводят валидацию для серверных платформ следующего поколения, и Micron ожидает выхода на серийное производство во второй половине 2027 года в соответствии с запросами клиентов.

Данный 512-ГБ модуль DDR5 RDIMM использует технологию вертикального межсоединения Micron, при которой многослойные кристаллы DRAM вертикально stacking-соединяются с помощью сквозных кремниевых переходов (TSV), что повышает плотность хранения в рамках одного корпуса DRAM. Согласно опубликованной на данный момент конфигурации, двухпроцессорный сервер с 24 слотами памяти сможет вмещать до 12 ТБ памяти DDR5, что позволяет увеличить объём памяти на один сервер без увеличения количества слотов по сравнению с комбинацией модулей меньшей ёмкости.

Что касается энергопотребления, опубликованные Micron данные тестирования показывают, что один 512-ГБ модуль потребляет около 16 Вт, тогда как четыре модуля 128 ГБ RDIMM при той же суммарной ёмкости 512 ГБ потребляют в сумме около 44,2 Вт, что соответствует снижению рабочего энергопотребления более чем на 60%. В рабочих нагрузках анализа данных с ограничением по памяти, таких как метод опорных векторов на базе Spark, 512-ГБ RDIMM обеспечивает до примерно 1,4-кратного прироста производительности по сравнению с конфигурацией 256 ГБ DDR5.

В настоящее время как AMD, так и Intel находятся на этапе валидации платформы. AMD проводит совместную валидацию данного модуля со своей серверной вычислительной платформой следующего поколения; Intel, в свою очередь, заявила о совместной с Micron проверке совместимости 512-ГБ DDR5 RDIMM с целью поддержки будущих серверных платформ. Текущий этап по-прежнему относится к стадии демонстрации образцов и валидации в экосистеме и ещё не вышел на этап коммерческих серийных поставок.

Ранее Micron уже продвигала продукты DDR5 RDIMM меньшей ёмкости с высокой производительностью. В июне 2026 года компания продемонстрировала 256-ГБ DDR5 RDIMM на основе 1γ-технологии и передовой технологии 3D-компоновки, также поддерживающий скорость до 9200 MT/s, и уже направила образцы партнёрам по серверной экосистеме. По сравнению с 256-ГБ продуктом данный 512-ГБ модуль дополнительно удваивает ёмкость одного модуля, сохраняя при этом максимальную скорость передачи данных 9200 MT/s.

Существующие продукты DDR5 RDIMM Micron в основном ориентированы на корпоративные серверы и центры обработки данных; объекты валидации нового поколения 512-ГБ модулей также сосредоточены на серверных платформах высокой ёмкости. Согласно опубликованной компанией области применения, данный продукт охватит рабочие нагрузки, требующие большого объёма основной памяти, включая ИИ, базы данных в оперативной памяти, анализ данных, виртуализацию и моделирование.