Navitas Semiconductor и GlobalFoundries: первые американские изделия GaNFast пятого поколения отгружаются в сентябре

Репортаж от Wedoany，1 сентября компания Navitas Semiconductor подтвердила, что первые изделия GaNFast силовых полупроводников пятого поколения, произведённые в США, начнут отгружаться в сентябре. Соответствующие компоненты изготавливаются на заводе GlobalFoundries в Берлингтоне, штат Вермонт, с использованием производственной платформы на основе нитрида галлия на кремнии (GaN-on-Si) с диаметром пластин 200 мм. Первыми изделиями стали GaN FET на 650 В.

В стартовой линейке представлены пять значений сопротивления открытого канала (RDS(on)): 11 мОм, 18 мОм, 50 мОм, 120 мОм и 150 мОм. Согласно согласованному сторонами графику поставок, первые партии пластин отгружаются в сентябре, в октябре наступает этап внутренних образцов, а образцы для отдельных стратегических заказчиков планируется предоставить до конца 2026 года.

Компания Navitas Semiconductor адаптировала архитектуру и производственный процесс устройств GaNFast поколения Gen 5 под техпроцесс GaN-on-Si с пластинами 200 мм компании GlobalFoundries. Сфера сотрудничества сторон охватывает как транзисторы GaNFast FET, так и силовые интегральные схемы; соответствующая продукция ориентирована на приложения высокой мощности, включая центры обработки данных для искусственного интеллекта, высокопроизводительные вычисления, электрификацию промышленности и критически важную инфраструктуру. Силовые ИС GaNFast могут интегрировать силовой ключ, драйвер, управление, датчики и функции защиты.

Стороны подписали долгосрочное стратегическое соглашение о сотрудничестве в ноябре 2025 года, тогда же было определено, что разработка и производство силовых устройств на основе GaN следующего поколения будут осуществляться на заводе GlobalFoundries в Берлингтоне, с началом разработки в начале 2026 года и выходом на производство в течение 2026 года. Нынешняя сентябрьская отгрузка первых партий пластин переводит сотрудничество с этапа предварительной технологической разработки на этап фактической поставки продукции.

Площадка GlobalFoundries в Берлингтоне отвечает за производственный этап высоковольтных устройств GaN-on-Si, а Navitas Semiconductor предоставляет технологию GaN-устройств, комплект средств проектирования технологического процесса (PDK) и архитектуру устройств. В опубликованных сторонами параметрах первой продукции основное внимание уделяется GaN FET на 650 В; количество первых партий пластин, объём заказов клиентов и конкретные сроки отгрузки силовых ИС GaNFast поколения Gen 5 пока не раскрываются.