SK Hynix и SanDisk представили стандарт HBF в США с максимальным объемом 512 ГБ

2026-08-04 13:37
В избр.

Репортаж от Wedoany,Компания SK Hynix 4 августа объявила о совместной публикации с SanDisk первого стандарта новой технологии хранения данных — высокоскоростной флэш-памяти (HBF, High Bandwidth Flash). Спецификация была представлена в день открытия выставки FMS 2026 в Санта-Кларе, штат Калифорния, всего через шесть месяцев после заключения альянса между компаниями.

SK Hynix 4 августа объявила о сотрудничестве с SanDisk через OCP и опубликовала первый стандарт новой технологии хранения данных HBF.

HBF занимает нишу между высокоскоростной памятью (HBM) и твердотельными накопителями (SSD): первая отличается скоростью обработки данных, а вторые — преимуществом в емкости хранения. По мере масштабирования моделей ИИ-инференса объемы данных стремительно растут, и существующие архитектуры памяти уже не могут одновременно обеспечивать и скорость, и емкость. HBF использует конфигурации с 8 и 16 слоями NAND, поддерживает максимальную емкость 512 ГБ и обеспечивает пропускную способность от 0,4 до 3,0 ТБ/с в зависимости от класса производительности.

Для содействия распространению технологии стандарт также направлен на создание открытой экосистемы. Благодаря использованию отраслевого стандартного интерфейса UCIe, HBF может гибко подключаться к различным процессорам, включая GPU и CPU; соответствующие спецификации уже опубликованы крупнейшей в мире организацией по сотрудничеству в области центров обработки данных — OCP (Open Compute Project). В настоящее время Google и Tenstorrent присоединились к альянсу HBF для совместного продвижения развития технологии.

SK Hynix на выставке заявила, что для адаптации к эпохе «агентного ИИ» необходимо построение многоуровневой архитектуры памяти. Руководитель подразделения Ким Чон Сон и директор Кан Ук Сон выступят с ключевыми докладами; оба считают, что стремительно растущие объемы данных не могут быть обработаны ни одним отдельным типом запоминающего устройства, а интеграция и оптимизация различных типов памяти с разными характеристиками в единую структуру является основой инфраструктуры ИИ следующего поколения.

Переговоры о сотрудничестве с крупными мировыми технологическими компаниями также продолжатся. 6 августа состоится панельная дискуссия, посвященная преодолению «стены памяти», с участием представителей Google DeepMind и SanDisk; представители компаний из сфер памяти, хранения данных и ИИ-программного обеспечения обсудят возможные структурные изменения и повышение производительности, которые HBF может принести в реальные сервисные среды.

На стенде также была представлена новейшая технология NAND. SK Hynix впервые в мире публично продемонстрировала разрабатываемую пластину и продукт 4D NAND десятого поколения (V10) с 375 слоями; производительность на ватт этого продукта в 2,5 раза выше, чем у предыдущего поколения, и он оптимизирован для энергочувствительных сред центров обработки данных ИИ.

Компания планирует начать массовое производство высокопроизводительных корпоративных твердотельных накопителей (eSSD) на базе 375-слойной NAND в начале следующего года.

Ким Чон Сон отметил: «Широкое распространение ИИ делает необходимым фундаментальное перепроектирование архитектуры обработки данных. С помощью HBF мы стремимся разрушить границы между памятью и хранилищем и внести вклад в повышение общей эффективности систем».

Эта новость является результатом компиляции и перепечатки информации из глобального Интернета и стратегических партнеров. Она предназначена только для читателей. Если у вас возникнут какие-либо нарушения или другие проблемы, пожалуйста, своевременно сообщите нам. Этот сайт изменить или удалить ее. Перепечатка этой статьи без официального разрешения строго запрещена.электронная почта:news@wedoany.com

Связанные продукты

QPS-20A Резервированный переключатель питания - CHN ENERGY ZHISHEN CONTROL TECHNOLOGY CO., LTD.
Антенные системы и сопутствующая электронная продукция - Chengdu Zhongdian Jinjiang Information Industry Co., Ltd.
Интеллектуальный автоматический калибратор давления ConST811A - Beijing ConST Instruments Technology Inc.
Интеллектуальная система мониторинга конвейерных лент - LUO YANG WIRE ROPE INSPECTION TECHNOLOGY CO., LTD.
Одномодовое волокно G.652B - SHENZHEN SDG INFORMATION CO., LTD.
Беспроводная локальная сеть | Точка доступа AirEngine 5776-56T - Huawei
Комплексные услуги персонального менеджера полного цикла для системной интеграции логистики - Zhongding Intelligent (Wuxi) Technology Co., Ltd.
Интеллектуальное производство, проектирование PCB - GCI Science & Technology (Zhuhai) Co., Ltd.
WiFi-локальный переходник - CREATEC
Лазерный принтер TG1020AD - Xiamen Hanin Co., Ltd.
6422 Оптический рефлектометр (OTDR) - Ceyear Technologies Co., Ltd.
Т профиль шкафа - Xinli Tongchuang Electronic Equipment Co., Ltd.
Читайте также
Южнокорейская Doosan инвестирует 970 млрд вон в расширение производства медных ламинатов для ИИ
2026-09-18
Моди: капитальные расходы India Semicon 2.0 расширены до 13,5 млрд долларов
2026-09-18
Anderon получает 1 млрд долларов в рамках CHIPS для развития 300-мм контрактного производства квантовых пластин
2026-09-17
Samsung и Qualcomm продвигают сотрудничество в области 2-нм контрактного производства, объём заказов пока не определён
2026-09-16
Meta (США) планирует развернуть собственный AI-чип MTIA 450 в первой половине 2027 года
2026-09-16
Micron представила первый в мире 512-ГБ модуль DDR5 RDIMM, серийное производство — во второй половине 2027 года
2026-09-16
Американская компания Rigetti получила $100 млн в рамках программы CHIPS для продвижения разработок в области сверхпроводящих квантовых вычислений
2026-09-15
Компания Analog Devices из США подписала соглашение о приобретении Alif Semiconductor за 1,35 млрд долларов
2026-09-11
Китайская компания SIRUP представила чипы для оптической связи 800G/1.6T на выставке CIOE 2026
2026-09-10
HCLTech инвестирует 1,85 млрд рупий в создание полупроводниковой лаборатории в Бангалоре, Индия
2026-09-09