Репортаж от Wedoany，Компания Guangqingyuan (Шанхай) Technology Co., Ltd. недавно объявила о завершении раунда посевного финансирования на десятки миллионов юаней, софинансируемого Fudan Sci-Tech и Furong Investment. Глобальный бренд компании — Nexilumen, основанный совместной командой профессора Тянь Пэнфэя из Университета Фудань и профессора Шэнь Бо из Пекинского университета.
Основная техническая команда ранее опубликовала результаты исследования в журнале Nature Communications, посвященные платформе оптоволоконных соединений на основе длинноволновых InGaN Micro LED на алмазной подложкеоптоволоконные соединения. Эта платформа объединяет длинноволновые InGaN Micro LED, гетероинтеграцию алмаза, трансферную печать и оптическую связь в единую технологическую систему. Ключевое преимущество Guangqingyuan заключается в глубокой интеграции технологии Micro LED-дисплеев и технологии оптической связитехнология связи. Micro LED, обладая работой без порогового тока, минимальной емкостью устройств, отличной совместимостью с CMOS и естественной двумерной масштабируемостью, считается идеальным источником света для создания высокоплотных архитектур оптоволоконных соединений.
Ранее исследования высокоскоростных оптоволоконных соединений в основном были сосредоточены на коротковолновых устройствах синего и зеленого спектра. Длинноволновые желтые и красные Micro LED из-за решеточного несоответствия и поляризационных эффектов, вызванных высоким содержанием индия, долгое время имели модуляционную полосу пропускания на уровне сотен МГц, что не удовлетворяло требованиям высокоскоростной связи. Техническая команда Guangqingyuan, используя эпитаксиальный дизайн сверхрешеточного слоя снятия напряжений и трехпериодных квантовых ям, вырастила высококачественные длинноволновые эпитаксиальные слои InGaN на кремниевой подложке, затем с помощью процесса трансферной печати интегрировала чипы на алмазную подложку с высокой теплопроводностью и применила технологию изготовления двухфотонных микролинз для сужения угла расходимости и повышения эффективности связи с оптоволокном.
Измеренные данные показывают, что при плотности тока всего 6,25 А/см² модуляционная полоса пропускания желтого Micro LED размером 20 мкм достигает 2850,4 МГц, что является самым высоким значением полосы пропускания Micro LED при такой же плотности тока, когда-либо зарегистрированным в мире. При скорости передачи 1,5 Гбит/с энергоэффективность передатчика составляет всего 0,056 пДж/бит, что устанавливает мировой рекорд по минимальному энергопотреблению для оптоволоконных соединений Micro LED. Введение алмазной подложки снижает повышение температуры устройства до 2–8% по сравнению с традиционной стеклянной подложкой, эффективно решая проблему терморегулирования при высокоскоростной работе.
В настоящее время команда продвигает монолитную и гетерогенную интеграцию схем управления CMOS и массивов Micro LED, и ожидается, что вскоре будет создан прототип системы оптоволоконных соединений с пропускной способностью порядка 1,6 Тбит/с, что обеспечит автономное и контролируемое решение для CPO-совместной упаковки оптики и оптического ввода-вывода между чипами в следующем поколении вычислительных кластеров ИИ.
