Репортаж от Wedoany，24 июня американский производитель микросхем памяти Micron Technology заявил, что разработка DRAM и NAND следующего поколения идет успешно, и ожидается, что массовое производство начнется во второй половине 2027 года. Компания также сообщила, что скорость наращивания объемов производства 12-слойной версии HBM4 в два раза превышает аналогичный показатель для 12-слойной версии HBM3E, а совокупная выручка от HBM4 уже превысила 1 миллиард долларов США, что свидетельствует о переходе ее продуктов для ИИ на более масштабную коммерческую стадию.
Текущие узлы 1γ DRAM и G9 NAND компании Micron Technology продолжают наращивать производство, и компания рассматривает их как ключевую технологическую платформу в своем текущем портфеле продуктов. Планы по началу массового производства узлов DRAM и NAND следующего поколения во второй половине 2027 года означают, что компания уже определила график смены технологий, производственных мощностей и поставок клиентам на ближайшие два года. Для производителей микросхем памяти смена поколений узлов влияет не только на емкость и энергопотребление отдельных чипов, но и на эффективность использования пластин, скорость выхода годных изделий, стоимость бита и конкурентоспособность последующего портфеля продуктов.
HBM4 — один из самых востребованных высокопроизводительных продуктов памяти Micron Technology на сегодняшний день. По сравнению с обычной DRAM, высокопропускная память требует многослойной укладки, передовой упаковки и более сложных межсоединений для достижения более высокой пропускной способности данных и в основном ориентирована на ИИ-ускорители, высокопроизводительные вычисления и серверы центров обработки данных. Micron Technology сообщила, что скорость наращивания производства 12-слойной версии HBM4 в два раза превышает аналогичный показатель для 12-слойной версии HBM3E, что свидетельствует о более быстром прогрессе в многослойной укладке, технологии упаковки, контроле выхода годных и валидации у клиентов.
Выручка от HBM4, превысившая 1 миллиард долларов США, также означает, что этот продукт больше не находится на стадии образцов или мелкосерийной валидации. Продукты HBM обычно требуют совместной валидации с ИИ-чипами, серверными платформами и системными клиентами. Выход на стадию получения выручки означает, что они уже прошли оценку производительности, энергопотребления, надежности и цепочки поставок у части клиентов. Поскольку спрос на пропускную способность и емкость памяти в ИИ-серверах продолжает расти, HBM превращается из высококлассного вспомогательного компонента в ключевой элемент поставок в ИИ-инфраструктуре.
Обнародованные Micron Technology данные о прогрессе в разработке узлов и HBM4 также отражают изменение приоритетов конкуренции в индустрии памяти. Раньше конкуренция в DRAM и NAND в основном вращалась вокруг ценовых циклов, расширения мощностей и снижения затрат; под влиянием спроса со стороны центров обработки данных для ИИ клиенты теперь больше внимания уделяют высокой пропускной способности, большой емкости, низкому энергопотреблению и стабильности поставок. То, смогут ли узлы DRAM и NAND следующего поколения начать массовое производство по плану во второй половине 2027 года, повлияет на дальнейшие продуктовые циклы Micron Technology на рынках ИИ-серверов, корпоративных хранилищ, оконечных устройств и автомобильной электроники.
Micron Technology также сталкивается с двойным давлением: необходимостью наращивания производственных мощностей и смены технологий. Внедрение передовых узлов требует больше чистых помещений, более высоких капитальных затрат и более сложного контроля процессов, а продукты HBM потребляют еще больше ресурсов передовой упаковки. Чтобы продолжать наращивать поставки HBM4 и одновременно продвигать массовое производство узлов DRAM и NAND следующего поколения, компания должна обеспечить стабильную координацию между производством пластин, сборкой и тестированием, валидацией у клиентов и долгосрочными контрактами на поставку. В дальнейшем необходимо следить за конкретным технологическим поколением узлов массового производства Micron Technology в 2027 году, охватом клиентов по HBM4 и изменением доли выручки от высокопроизводительных продуктов памяти.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
