Репортаж от Wedoany，Samsung Electronics строит на своем заводе в Пхёнтхэке линию массового производства, оснащенную 50 установками гибридного соединения чип-пластина (D2W), для выпуска высокопроизводительной памяти (HBM) и логических полупроводников следующего поколения. Поставка и установка оборудования ожидаются к концу текущего года.
По информации от 21 числа из полупроводниковой отрасли, Samsung Electronics выбрала нидерландскую компанию BESI, специализирующуюся на оборудовании для сборки полупроводников, в качестве основного партнера и уже начала закупку 50 гибридных бондеров D2W. Это оборудование планируется установить на линии массового производства завода P5 в Пхёнтхэке. Генеральный директор Vesh Ричард Бликман на телефонной конференции по итогам первого квартала в апреле прошлого года заявил, что к середине года сможет раскрыть более точные детали о гибридных бондерах. В то время гибридные бондеры Vesh проходили проверку качества у Samsung Electronics.
Однако для окончательного оформления заказа потребуется больше времени. Из-за требований Samsung Electronics о внесении структурных изменений в оборудование конкретные сроки поставок пока не определены. Структурные изменения включают корректировку конструкции, компонентов или модулей оборудования для удовлетворения потребностей заказчика. Кроме того, цена гибридного бондера Vesi составляет около 6 миллиардов вон, что примерно вдвое дороже аналогов конкурентов, что также, как считается, затянуло переговорный процесс. Один из отраслевых источников отметил, что Veshi поставляет гибридные бондеры мировым полупроводниковым компаниям, включая TSMC и Micron, но переделка конструкции оборудования исключительно под требования Samsung Electronics создает для компании огромное давление. Samsung Electronics считает оборудование Veshi оптимальным выбором, но из-за сложностей с координацией также рассматривает возможность привлечения продукции отечественных производителей оборудования с более быстрой реакцией.
Дочерняя компания Samsung Electronics по производству полупроводникового оборудования SEMES также получила заказ на поставку гибридных бондеров D2W для линии массового производства. Компания планирует построить две линии массового производства гибридного соединения на заводе в Пхёнтхэке. Другой отраслевой источник отметил, что когда Samsung Electronics изначально выбрала оборудование VESI, SEMES испытывала сильное напряжение, но в последнее время ситуация улучшилась. SEMES завершила разработку гибридного бондера D2W в начале этого года и уже передала его Samsung Electronics для проверки производительности. По имеющимся данным, оборудование прошло испытания.
Samsung Electronics также рассматривает Hanwha Semiconductor в качестве партнера по гибридным бондерам. Hanwha Semiconductor завершила разработку гибридного бондера D2W второго поколения «SHB2 Nano» в феврале этого года и в апреле прошлого года предоставила оценочный образец компании SK Hynix. Это изделие представляет собой интегрированную систему (кластер), включающую бондер, модуль передачи пластин (EFEM) от Cymex, модуль плазменной активации от Hanwha Semiconductor и модуль очистки от Zeus.
Линия массового производства гибридного соединения D2W, строящаяся Samsung Electronics на заводе в Пхёнтхэке, напрямую связана с процессами упаковки HBM и логических полупроводников. По данным отраслевых источников, помимо центра сборки полупроводников в Чхонане, Samsung Electronics также создает линию гибридного соединения для HBM следующего поколения на заводе в Пхёнтхэке. Использование технологии гибридного медного соединения (HCB) вместо традиционной технологии термокомпрессионного (TC) соединения для укладки основных чипов HBM (чипов DRAM) позволяет значительно улучшить производительность, снизить энергопотребление и уменьшить тепловыделение. Это достигается за счет прямого соединения меди и диэлектрических слоев без использования металлических выступов (микрошариков), что сокращает длину межсоединений между устройствами.
Эта технология с высокой вероятностью будет применена в заказных чипах HBM (cHBM). Samsung Electronics заменяет базовый чип cHBM на логический чип с вычислительными схемами (IP) заказчика, который выполняет вспомогательные вычисления для внешних центральных процессоров (CPU) и графических процессоров (GPU), а также оптимизирует передачу данных. Samsung Electronics планирует использовать структуру 3D-системы в корпусе (SiP), вертикально укладывая слои HBM DRAM поверх логического чипа. В прошлом месяце центр литейного производства Samsung Electronics представил решение для вертикального 3D-стэкирования следующего поколения на основе технологии гибридного соединения «3D Cube-H». Это технология гетерогенной интегральной упаковки, разработанная специально для чипов искусственного интеллекта (ИИ) и систем высокопроизводительных вычислений (HPC) следующего поколения. По сравнению с существующими технологиями упаковки, она обеспечивает более высокую производительность, энергоэффективность и пропускную способность. В настоящее время центр литейного производства Samsung Electronics активно продвигает применение этой технологии среди заказчиков.
Ожидается, что начиная с конца этого года гибридные бондеры от производителей оборудования будут постепенно доставляться на завод в Пхёнтхэке и устанавливаться. Однако, по внутренним прогнозам Samsung Electronics, массовое производство с использованием технологии гибридного соединения будет возможно не ранее 2030 года из-за ее более высокой технической сложности по сравнению с термоэлектрическим соединением. Отраслевой источник C прогнозирует: «Мы ожидаем, что технология гибридного соединения будет полностью внедрена примерно к 2029 году, когда также будет выпущен ускоритель ИИ следующего поколения Feynman от NVIDIA».
