Японская компания Sumitomo Chemical начала массовое производство 4-дюймовых эпитаксиальных пластин из фосфида индия, ожидаемый объём продаж — десятки миллиардов иен

Репортаж от Wedoany，31 августа компания Sumitomo Chemical объявила о создании системы массового производства 4-дюймовых эпитаксиальных пластин из фосфида индия (InP) на заводе в Ибараки (город Хитати, префектура Ибараки) и начале продаж. Будучи одним из немногих в Японии специализированных производителей, способных стабильно выпускать эпитаксиальные пластины InP в промышленных масштабах, Sumitomo Chemical намерена поддерживать развитие цифровой инфраструктуры следующего поколения, включая центры обработки данных для ИИ.

Эпитаксиальные пластины InP являются ключевым материалом для реализации высокопроизводительных оптоэлектронных полупроводниковых устройств, обеспечивающих эффективное преобразование между электрическими и оптическими сигналами. С распространением генеративного ИИ, а также расширением инфраструктуры Интернета вещей, облачных сервисов и коммуникационных сетей, спрос на высокоскоростную обработку больших объёмов данных продолжает расти по всем направлениям. Центры обработки данных для ИИ сталкиваются с двумя глобальными проблемами — потреблением электроэнергии и вычислительной нагрузкой, и технология фотонно-электронной интеграции рассматривается как ключевое решение. Применение эпитаксиальных пластин InP в центрах обработки данных следующего поколения и высокоскоростных сетях стремительно расширяется.

Производство эпитаксиальных пластин InP требует точного контроля состава материала и состояния поверхности в процессе высокотемпературного эпитаксиального роста, а также сложного управления технологическими процессами, включая обработку газообразных исходных веществ. Sumitomo Chemical применяет накопленный за более чем 25 лет опыт массового производства эпитаксиальных пластин из арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN) — технологии контроля состава, осаждения тонких плёнок и управления процессами кристаллического роста — к производству эпитаксиальных пластин InP, добиваясь сочетания высокого качества и высокой производительности.

Компания Sumitomo Chemical ставит целью достижение объёма продаж эпитаксиальных пластин InP в размере 10 миллиардов иен к середине 2030-х годов. Планируется включить эпитаксиальные пластины InP в существующую линейку материалов для соединений полупроводников (включая подложки GaN, эпитаксиальные пластины GaN и эпитаксиальные пластины GaAs) и дальнейшее расширение присутствия на растущих рынках беспроводной связи, силовой электроники и центров обработки данных.

На уровне отраслевой конкуренции другое предприятие группы Sumitomo — компания Sumitomo Electric — в июле 2026 года объявила об инвестициях в размере 18 миллиардов иен в расширение производства подложек InP с целью увеличения мощностей в 3,1 раза к 2028 году по сравнению с 2024 годом. Тем временем китайская компания Wuhan Tianyuan Environmental Protection приобрела 60% акций Zhongxun Semiconductor за 7,5 миллиона юаней, выходя на рынок подложек InP, и планирует дополнительные инвестиции в размере 67 миллионов юаней — гонка производственных мощностей в отрасли набирает обороты.