Репортаж от Wedoany，В городе Хигасихиросима префектуры Хиросима, Япония, компания Micron Technology официально запустила проект расширения завода на общую сумму 1,5 трлн иен (около 9,3 млрд долларов США). Церемония закладки фундамента состоялась 4 июля 2026 года по местному времени. Это ключевое вложение Micron в наращивание производственных мощностей для удовлетворения взрывного роста спроса на память в эпоху искусственного интеллекта, а также важнейший проект для возрождения национальной полупроводниковой цепочки в Японии. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии предоставит на этот проект субсидии в размере до 500 млрд иен.
Завод в Хиросиме, имеющий более чем 35-летнюю историю производства полупроводников, отражает эволюцию японской индустрии памяти. Завод был основан в 1988 году как завод NEC в Хиросиме, в 2003 году вошел в состав Elpida Memory в ходе консолидации японской DRAM-индустрии, а после приобретения обанкротившейся Elpida компанией Micron в 2013 году официально стал основным операционным центром Micron в Японии. Первая в истории Micron серийная пластина HBM была произведена именно здесь. В окрестностях завода также сосредоточены производители исходных материалов, таких как фоторезисты, специальные электронные газы и кремниевые пластины; около 80% сырья для производства может быть закуплено поблизости, что обеспечивает высокую стабильность цепочки поставок и преимущества в технологической поддержке процессов.
Основой технологии данного расширения является DRAM на базе 1γ (1-гамма) процесса Micron — самого передового технологического узла DRAM в мире. Эта технология основана на накопленном опыте двух предыдущих поколений процессов Micron — 1α и 1β. Впервые в производстве DRAM широко применяется технология экстремальной ультрафиолетовой литографии в сочетании с новыми поколениями схем HKMG и CMOS. По сравнению с предыдущим поколением 1β, DRAM 1γ обеспечивает снижение энергопотребления более чем на 20%, увеличение плотности памяти более чем на 30% и удвоение производительности на бит, что позволяет удовлетворить высокопроизводительные потребности в памяти для таких сценариев, как AI-вычисления, высококлассная потребительская электроника, интеллектуальные автомобили и облачные центры обработки данных. Помимо стандартных продуктов DRAM, новая производственная линия будет также ориентирована на наращивание мощностей по выпуску высокопроизводительной памяти (HBM), охватывая такие высококлассные продукты для AI-вычислений, как HBM4 и HBM4E. В настоящее время HBM4, разработанный Micron для платформы Vera Rubin компании NVIDIA, уже вступил в стадию массового производства.
Согласно плану проекта, данное расширение предусматривает строительство нового чистого производственного цеха площадью 28 000 квадратных метров, причем строительные работы и установка оборудования будут вестись поэтапно. Ожидается, что линия начнет коммерческие поставки летом 2028 года и выйдет на полную мощность к 2030 году, когда ежемесячная производительность пластин достигнет 40 000 штук. Министр экономики, торговли и промышленности Японии Акасака Рёсэй, присутствовавший на церемонии закладки фундамента, заявил, что Micron в настоящее время является единственным производителем DRAM в Японии, и эти инвестиции имеют стратегическое значение для японской полупроводниковой экосистемы. Согласно данным Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года SK Hynix занимала 58% мирового рынка HBM, а доля Micron выросла с 9% на конец 2024 года до примерно 21% на конец 2025 года, обойдя Samsung и заняв второе место в мире. Расширение завода в Хиросиме является ключевым шагом Micron для сокращения разрыва с лидером отрасли и борьбы за доминирование на рынке AI-памяти.
