Репортаж от Wedoany，Компания Micron Technology, реагируя на резкий рост вычислительных потребностей в сфере искусственного интеллекта, получила масштабные субсидии от правительства Японии и неожиданно начала строительство нового корпуса для производства высокопроизводительной памяти следующего поколения на своем заводе в префектуре Хиросима.
Компания Micron вложила в общей сложности 1,5 триллиона иен (около 9,3 миллиарда долларов) в расширение производственной линии передовых полупроводников памяти на своем заводе в городе Хигасихиросима, префектура Хиросима. Начатое строительство нового корпуса предусматривает поэтапное производство высокопроизводительной памяти (HBM) следующего поколения HBM4E, необходимой для AI-процессоров NVIDIA, а также продуктовой линейки DRAM на основе передовых технологических процессов. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, стремясь обеспечить стабильные поставки производственной инфраструктуры, приняло решение предоставить субсидию в размере до 536 миллиардов иен, что составляет одну треть от общего объема инвестиций. Завоз оборудования и запуск производственных линий на этом заводе начнутся поэтапно со второй половины 2028 года.
Получение новой производственной базы происходит одновременно с гонкой инвестиций в оборудование среди мировых производителей памяти, стремящихся захватить лидерство в области искусственного интеллекта. В настоящее время Micron инвестирует 50 миллиардов долларов в строительство крупного завода по производству пластин в Бойсе, штат Айдахо, США, и ускоряет реализацию проекта гигантского завода стоимостью 100 миллиардов долларов в городе Клей, штат Нью-Йорк, с целью запуска производства к 2030 году. SK Hynix и Samsung Electronics также активно наращивают мощности по производству высокопроизводительной памяти.
На фоне многочисленных рисков в цепочках поставок выбор Micron в пользу Японии для размещения дополнительной базы обусловлен высокой степенью самообеспеченности местной экосистемы компонентов. По данным японского юридического лица Micron, около 80% основных полупроводниковых материалов и оборудования, необходимых для завода в Хиросиме, закупаются у местных японских партнеров, что сводит к минимуму неопределенность, связанную с закупками оборудования за рубежом. Кроме того, решение Micron было обусловлено тем, что правительство Японии определило полупроводники как ключевой актив экономической безопасности и создало всесторонний барьер финансовой поддержки. С 2021 года правительство Японии выделило десятки триллионов вон на возрождение полупроводниковой и AI-индустрии, причем только компании Micron на сегодняшний день было выделено в общей сложности 775 миллиардов иен субсидий. В прошлом месяце премьер-министр Японии Такаити Санаэ объявила долгосрочную дорожную карту, предусматривающую общие инвестиции в размере 101,6 триллиона иен в рамках государственно-частного партнерства в полупроводниковую и AI-сферы до марта 2041 года, что свидетельствует о намерении создать полную цепочку поставок полупроводников на территории Японии.
Генеральный директор (CEO) Micron Санджай Мехротра на церемонии закладки фундамента подчеркнул, что первая пластина HBM компании Micron была произведена именно в Хиросиме, что является ядром технологии AI. Министр экономики, торговли и промышленности Японии Рёсэй Акаба оценил, что распространение генеративного AI привело к резкому расширению спроса на полупроводники памяти, и что Micron является единственным производителем DRAM на территории Японии. Расширение ее производственной базы имеет неоценимое значение для укрепления внутренней производственной базы и создания глобальной стабильной системы поставок.
