Южнокорейская компания SK Key Foundry начала массовое производство технологии встроенной EMC-защиты на основе Bi-SCR

Репортаж от Wedoany，Компания SK Key Foundry (SK Key Foundry) объявила о запуске технологии встроенной EMC-защиты на основе Bi-SCR, предназначенной для повышения электромагнитной устойчивости (EMC) автомобильных полупроводников, и начала массовое производство продукции по 0,13-мкм BCD-технологии. Используемая в данной технологии структура Bi-SCR сочетает в себе возможность регулировки напряжения запуска, высокую токовую нагрузку и эффективность использования площади, и была разработана специально для защиты автомобильных силовых полупроводников с высокими требованиями к компактности и интеграции. Данное решение обеспечивает контроль EMC-напряжений непосредственно внутри чипа, устраняя необходимость во внешних защитных элементах, обычно используемых в традиционных системных решениях, — диодах для подавления переходных напряжений (TVS), что способствует оптимизации схемотехники и эффективности использования пространства.

В отличие от устройств, ориентированных на защиту от электростатических разрядов (ESD) при сборке, данная технология предназначена для управления системными EMC-напряжениями, возникающими во время работы автомобиля, непосредственно внутри чипа. На основе данного массового производства SK Key Foundry планирует расширить портфолио защитных устройств на базе высоковольтных LDMOS, BJT, SCR и диодов, а также выйти на рынок таких приложений, как автомобильные силовые управляющие микросхемы (PMIC), драйверы двигателей и интегральные схемы (ИС) управления питанием.

Представитель SK Key Foundry Ли Донджэ отметил, что на текущем рынке автомобильных полупроводников ключевым конкурентным преимуществом становится не просто устойчивость к ESD на уровне компонентов, а «EMC-робастность» в реальных жестких условиях автомобильных электронных систем. Массовое производство технологии встроенной EMC-защиты на основе Bi-SCR является важным технологическим этапом в повышении надежности автомобильных полупроводниковых изделий и стабильности систем.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com