Samsung из Южной Кореи реализовала вертикально сложенные транзисторы с шагом затвора 42 нм

Репортаж от Wedoany，Компания Samsung Electronics на симпозиуме VLSI 2026 получила звание лучшей статьи за технологию вертикально сложенных транзисторов, которая позволила добиться наименьшего в отрасли шага затвора для таких транзисторов.

Транзисторы — это устройства, усиливающие или управляющие электрическими сигналами, и они считаются ключевым фактором, определяющим производительность полупроводников. Традиционные процессы постоянно увеличивают количество каналов тока с 1 до 3, а затем с 3 до 4, чтобы продвигать технологический прогресс.

Эта технология кардинально изменила структуру транзисторов, вертикально сложив их, которые ранее располагались в плоскости. Такая структура уже была внедрена в полупроводниках памяти, таких как V-NAND для NAND-флэш и HBM для DRAM, где сложение позволяет преодолеть ограничения по площади, и теперь ожидается её применение в системных полупроводниках. После вертикального сложения площадь, занимаемая транзистором, сокращается вдвое, а плотность интеграции на единицу площади теоретически удваивается, что означает возможность разместить вдвое больше транзисторов на пластине той же площади.

До публикации статьи минимальный шаг затвора для вертикально сложенных транзисторов в отрасли составлял 48 нм. Исследовательская группа Samsung снизила его до 42 нм, добившись более тонкого технологического процесса. Энергоэффективность прямо пропорциональна количеству транзисторов на единицу площади. Поскольку вертикальная структура сложения удваивает количество транзисторов, энергоэффективность также удваивается. В традиционных полупроводниковых процессах производительность каждого поколения обычно улучшается примерно на 15%, тогда как из-за удвоения количества транзисторов в вертикальной структуре сложения производительность теоретически может увеличиться на 100%. Эта статья на симпозиуме VLSI получила 8,29 балла из 10 возможных, заняв лидирующие позиции среди более чем 1000 поданных статей, и открыла новый путь для логических полупроводников следующего поколения.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com