Репортаж от Wedoany，11 июня, новости. Южнокорейский производитель чипов памяти SK Hynix завершил верификацию массового производства 375-слойной 3D NAND флэш-памяти и готовится передать соответствующую технологию на существующую производственную линию завода M15 в Чхонджу. Ожидается, что массовое производство начнется в этом году. Данный продукт рассматривается как следующее поколение V10 NAND после 321-слойной V9 NAND от SK Hynix, что позволит дополнительно повысить плотность укладки и объем памяти NAND флэш.
375-слойная укладка означает, что производство NAND продолжает продвигаться к сверхвысоким структурам. 3D NAND увеличивает емкость на единицу площади за счет вертикального размещения ячеек памяти, но с увеличением числа слоев сложность управления структурой линий слов, травлением каналов, равномерностью осаждения, задержкой сигнала и контролем выхода годных также возрастает. Ранее SK Hynix уже реализовала массовое производство 321-слойной NAND. При переходе к 375 слоям технологические вызовы заключаются не только в дальнейшем увеличении числа слоев, но и в поддержании скорости чтения/записи, производительности стирания и долгосрочной надежности в высокоплотной структуре. Завершение верификации массового производства свидетельствует о том, что соответствующие процессы уже готовы к переходу от разработки и верификации к внедрению на существующих производственных линиях.
Изменение материалов является ключевым прорывом в этом поколении продуктов. В 375-слойном продукте SK Hynix частично заменил ранее используемый вольфрам на молибден в качестве материала металлического затвора линий слов. Молибден имеет более низкое сопротивление в тонких структурах линий слов по сравнению с вольфрамом, что способствует повышению скорости передачи сигнала и улучшению производительности чтения/записи и стирания; кроме того, перед осаждением молибдена больше не требуется дополнительное нанесение барьерного слоя, что оставляет больше технологического пространства для более плотной укладки. Для сверхвысоких 3D NAND сопротивление материала линий слов, способность к заполнению и сложность осаждения напрямую влияют на производительность чипов и эффективность массового производства.
Этот прогресс также повлияет на конкурентный ритм индустрии памяти. AI-серверы, корпоративные SSD, потребительская электроника и периферийные устройства продолжают повышать спрос на объем памяти. Производителям NAND необходимо перебалансировать затраты, емкость, скорость и энергопотребление. Более высокая слоистость 3D NAND способствует увеличению емкости одного чипа, снижению стоимости бита и созданию основы для крупноемких SSD. Если массовое производство 375-слойного продукта пройдет успешно, SK Hynix продолжит догонять таких производителей, как Samsung, Micron и Kioxia, в конкурентной борьбе за высокослойную укладку NAND, а также будет стимулировать модернизацию цепочек поставок, включая оборудование для травления, осаждения, материалы-прекурсоры, контрольно-измерительное оборудование и передовую упаковку.
Последующие этапы будут сосредоточены на прогрессе передачи технологии на линию M15 в Чхонджу, сроках начала массового производства в этом году, показателях выхода годных 375-слойного продукта, а также на том, выйдет ли этот продукт сначала на рынок потребительских SSD или корпоративных систем хранения данных. По мере того как AI-центры обработки данных и высокоемкие терминалы продолжают стимулировать спрос на память, конкуренция в области NAND будет распространяться от увеличения числа слоев к материалам, производственным затратам и скорости внедрения продуктов. Внедрение SK Hynix молибдена для решения проблемы сверхвысокой укладки свидетельствует о том, что производство чипов памяти вступает в новый этап, где одновременно продвигаются «повышение структуры и замена материалов».
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
