Репортаж от Wedoany，Samsung Electronics начала поставлять клиентам образцы своей будущей линейки 12-слойной HBM4E (улучшенная память четвёртого поколения с высокой пропускной способностью). Количество слоёв, реализованных на 4-нм логическом чипе, является первым в отрасли для данной области, что знаменует технологический прогресс в серии памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью (HBM). В отличие от конкурентов, которые размещают продукты DRAM на пассивных интерпозерах, этот перспективный продукт Samsung использует тонкий слой кремния для маршрутизации сигналов между памятью и GPU.
Samsung заявляет, что HBM4E предназначена для удовлетворения базовых потребностей в памяти для AI-вычислений и сверхмасштабируемой инфраструктуры, обеспечивая стабильную скорость выводов 14 Гбит/с с возможностью масштабирования до 16 Гбит/с, что на 20% выше по сравнению с предыдущим поколением HBM4, при этом пропускная способность каждого стека памяти достигает 3,6 ТБ/с. Этот продукт предлагает ёмкость 48 ГБ. Корейская компания утверждает, что улучшенная конструкция корпуса повышает энергоэффективность на 16% и улучшает характеристики теплового сопротивления более чем на 14% по сравнению с предыдущим поколением.
Samsung сообщает, что с момента начала производства линейки HBM4 в феврале компания получила отзывы клиентов и планирует запустить массовое производство HBM4E после первоначальной поставки образцов и оптимизации. Исполнительный вице-президент и руководитель отдела разработки памяти Samsung Сан Джун Хван (Sang Joon Hwang) заявил: «После успешного массового производства HBM4 Samsung снова демонстрирует свои уникальные технологические преимущества с помощью HBM4E. Благодаря нашим передовым производственным возможностям и упреждающим инвестициям в инфраструктуру мы продолжим стимулировать рост мирового рынка AI-памяти».
Samsung продолжает получать рекордную прибыль на волне спроса на память, полностью используя рост потребностей строителей AI-инфраструктуры в компонентах памяти. Будучи одним из трёх крупнейших производителей памяти, Samsung повысил цены на компоненты на фоне резкого роста спроса, одновременно прогнозируя, что его продажи HBM в 2026 году вырастут более чем в три раза. Эта южнокорейская компания выиграла заказ на поставку HBM4 для будущей платформы Vera Rubin от NVIDIA, вступив в жёсткую конкуренцию с соперником SK hynix. HBM4E была представлена на GTC 2026, ежегодной выставке NVIDIA, которая совпала с подписанием соглашения между сторонами о сотрудничестве в области инноваций в полупроводниковой инженерии — от исследований и разработок до проектирования и производства.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
