Исследователи из Техасского университета в Остине разработали настольную установку для экстремальной ультрафиолетовой литографии, сократив время изготовления с нескольких дней до нескольких минут

Репортаж от Wedoany，Исследователи из Инженерной школы Кокрелла (Cockrell School of Engineering) Техасского университета в Остине разработали настольное устройство для экстремальной ультрафиолетовой литографии, которое за счет упрощения ключевых компонентов имеет модульную конструкцию, а его стоимость значительно ниже, чем у коммерческих аналогов.

Технология экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) используется для печати схем на кремниевых подложках при производстве компьютерных чипов, однако долгое время ею владели лишь несколько производителей в мире. Стоимость коммерческих EUV-литографов превышает 200 миллионов долларов, и они имеют огромные размеры. Исследование команды Кокрелла является частью программы «Будущее полупроводников» Национального научного фонда США (NSF FuSe2) и направлено на снижение порога входа в полупроводниковые исследования.

В настольном устройстве используется технология, называемая объемной 3D-литографией, которая призвана преодолеть ограничения существующих EUV-процессов. Стандартные коммерческие системы создают 3D-наноструктуры послойно, и такой последовательный метод может приводить к увеличению времени обработки до нескольких дней.

«Сама по себе печать может не занимать много времени, — говорит Чи-Хао Чанг (Chih-Hao Chang), профессор кафедры машиностроения Уокера (Walker Department of Mechanical Engineering) Техасского университета в Остине и один из основных авторов статьи, опубликованной в журнале Nano Letters, — но процесс обработки может длиться несколько дней». Новая технология сокращает это время до нескольких минут за счет одновременного экспонирования нескольких слоев. Команда Кокрелла недавно протестировала EUV-совместимые материалы, разработанные партнерами по исследованиям из UT Даллас и Университета Джонса Хопкинса, что является частью работы по расширению совместимости системы с материалами.

В настоящее время этот процесс применим только для периодических структур, поэтому он наиболее подходит для чипов памяти и фотоники. Долгосрочная цель — разработать систему, способную генерировать более сложные элементы для транзисторов меньшего размера, что позволит увеличить вычислительную мощность каждого чипа. «Помимо производства полупроводников, возможность формирования 3D-наноструктур может применяться в таких областях, как наномедицина, квантовые вычисления или синтез новых материалов», — отметил первый автор исследования, недавно защитивший докторскую диссертацию Саурав Моханти (Saurav Mohanty).

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com