Репортаж от Wedoany，6 мая 2026 года групповой стандарт T/CASAS 068—2026 «Изотропный пористый графит для производства пластин карбида кремния», разработанный под руководством компании SIAMC Advanced Materials Co., Ltd. в соответствии с процедурами Комитета по стандартизации Альянса стратегических инноваций в области технологий полупроводниковой промышленности третьего поколения (CASAS), был официально опубликован для промышленности. Этот стандарт распространяется на изотропные пористые графитовые материалы и компоненты, используемые для роста монокристаллов карбида кремния и эпитаксии, с требованиями к чистоте 5N5 (массовая доля 99,9995%) и выше. Документ устанавливает технические требования к материалам, методы испытаний, правила приемки, маркировку, упаковку, транспортирование и хранение. Ранее, в 2025 году, CASAS уже опубликовал T/CASAS 048—2025 «Изостатический графит для выращивания монокристаллов карбида кремния». Выпуск нового стандарта еще больше дополнил стандартизационную картину ключевых графитовых материалов для производства карбида кремния.
Пористый графит является незаменимым ключевым базовым материалом в производстве полупроводникового карбида кремния. Как углеродный материал с высокой пористостью, его основные функции охватывают два важнейших этапа: рост монокристаллов подложки и эпитаксиальный процесс. В процессе роста монокристаллов подложки пористый графит напрямую влияет на качество кристаллов и способствует получению пластин большего размера, регулируя соотношение атомов углерода и кремния в ростовой камере, оптимизируя распределение градиента температур и подавляя диффузию примесей. Во время роста кристаллов исходные порошки кремния и углерода должны сублимироваться в газ, а затем рекристаллизоваться. Пористый графит, благодаря своей пористой структуре, разделяет, смешивает, направляет и контролирует потоки исходных газов, обеспечивает дополнительный источник углерода, повышает соотношение C/Si в зоне роста и обеспечивает контролируемое высвобождение в требуемой пропорции, гарантируя стабильность материального потока в течение всего процесса роста. Это эффективно ослабляет эффект поликристаллизации на краях кристалла и обеспечивает рост монокристаллического политипа. В то же время, теплопроводные свойства пористого графита способствуют выравниванию температурного поля в порошковой зоне, уменьшению обратного переноса пара и рекристаллизации на поверхности порошка, тем самым повышая коэффициент использования исходного материала карбида кремния и скорость роста кристаллов, а также оптимизируя распределение осевого удельного сопротивления, что особенно подходит для изготовления крупногабаритных монокристаллов. Регулируя типы пор и оптимизируя тепловое поле, пористый графит также может подавлять разложение на краях кристалла, способствовать расширению диаметра и улучшать общую стабильность роста.
В эпитаксиальном процессе пористый графит также выполняет ключевые задачи. Использование пористого графита в определенных местах эпитаксиальной печи для карбида кремния, благодаря его уникальной структуре и теплопроводным характеристикам, позволяет регулировать распределение температурного поля в камере эпитаксиальной печи. Это значительно улучшает однородность толщины осаждения и концентрации легирования эпитаксиального слоя, а также играет важную роль в уменьшении коробления или растрескивания эпитаксиальных пластин, вызванных неравномерностью температуры.
Карбид кремния, являясь основным материалом для третьего поколения широкозонных полупроводников, переживает взрывной рост спроса в таких областях, как электромобили, фотоэлектрические накопители энергии и источники питания для центров обработки данных ИИ. Подложка из карбида кремния, будучи самым центральным звеном производственной цепочки, своим расширением мощностей напрямую стимулирует рост спроса на высококачественный пористый графит. Китай создал полную производственную цепочку материалов из карбида кремния, и отечественные предприятия достигли возможности масштабного серийного производства пластин диаметром от 6 до 8 дюймов.
Компания SIAMC Advanced Materials Co., Ltd., основанная в 2007 году, со штаб-квартирой в городе Хучжоу провинции Чжэцзян и второй производственной базой в Иньчуане, Нинся-Хуэйский автономный район, занимает общую площадь около 1000 му (≈66,7 га). Компания обладает экологически чистыми передовыми производственными процессами и в основном занимается исследованиями, разработкой, производством и продажей высококачественных специальных графитовых материалов и композиционных материалов на углеродной основе. Она является национальным высокотехнологичным предприятием, национальным предприятием «маленький гигант» в категории специализированных и сложных технологий, а ее лаборатория аккредитована Китайской национальной службой по аккредитации (CNAS). Компания может производить крупногабаритные материалы для тепловых узлов диаметром 36 дюймов и более, с содержанием примесей в графите менее 5 ppm. Продукция широко применяется в полупроводниковой, фотоэлектрической, атомной и других отраслях промышленности. SIAMC является единственным членом Американского общества по испытаниям и материалам (ASTM) из графитовой промышленности Китая. К 2023 году компания приняла участие в разработке в общей сложности 19 национальных, отраслевых стандартов и стандартов ASTM, а также установила партнерские отношения с ведущими мировыми исследовательскими институтами, такими как Китайская академия наук, Университет Цинхуа и Оксфордский университет.
В число основных организаций-разработчиков данного стандарта также вошли Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co., Ltd., Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd., Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd., Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Шаньдунский университет, Институт полупроводников Китайской академии наук и другие ключевые предприятия и научно-исследовательские институты производственной цепочки. Стоит отметить, что такие компании, как Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. и Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd., являются ведущими китайскими производителями подложек из карбида кремния. Их участие позволило в процессе разработки стандарта напрямую учитывать реальные потребности и проверочные данные непосредственно с производственной линии.
В последние годы компания SIAMC активно работает в области стандартизации полупроводниковых графитовых материалов. 23 апреля 2025 года был официально опубликован стандарт T/CASAS 048—2025 «Изостатический графит для выращивания монокристаллов карбида кремния», разработанный под руководством SIAMC. Он применим к компонентам тепловых узлов для роста монокристаллов карбида кремния с чистотой 5N5 и выше. Выпуск T/CASAS 068—2026 расширяет охват стандартов с изостатического графита на изотропный пористый графит, дополнительно детализируя технические требования к ключевым материалам для производства карбида кремния. 3 апреля 2026 года в Чансине, Хучжоу, состоялось третье рабочее совещание Объединенного инновационного центра по графиту, организованное Альянсом стратегических инноваций в области технологий материалов для интегральных схем и проведенное компанией SIAMC. На совещании было определено, что SIAMC возглавит обобщение результатов обсуждений и определит направления прорывных исследований для Объединенного центра на следующем этапе, способствуя формированию отраслевой модели совместных исследований и разработок, совместной верификации и совместного создания стандартов по всей цепочке поставок, а также налаживанию полного сотрудничества по всей производственной цепочке «материалы — оборудование — Fab-производство».
С точки зрения текущей ситуации в отрасли, пористый графит, являясь ключевым расходным материалом для полупроводников, долгое время сильно зависел от импорта. Многие исследователи отмечали, что в процессе развития устройств на основе карбида кремния высококачественный пористый графит был узким местом, сдерживающим развитие отечественной индустрии полупроводниковых графитовых материалов. Высококачественная продукция из пористого графита для выращивания кристаллов в основном зависела от зарубежных производителей, отличалась высокой ценой и нестабильностью цепочки поставок, что делало импортозамещение крайне необходимым. Публикация T/CASAS 068—2026 предоставляет отечественным предприятиям по производству подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния единую базу для оценки качества. Это поможет направить поставщиков графитовых материалов на постоянное совершенствование в направлении более высокой чистоты и лучших характеристик, укрепить технологическую стыковку между звеньями производственной цепочки, способствовать индустриализации отечественных полупроводниковых графитовых материалов и обеспечению независимого контроля над цепочкой поставок. SIAMC также является компанией, в которую опосредованно, через Changzhou Jinrui Carbon Venture Capital Investment Enterprise, инвестирует публичная компания Black Peony, акции которой котируются на бирже A-акций. В настоящее время процесс стабильно продвигается.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
