Репортаж от Wedoany，6 мая 2026 года групповой стандарт T/CASAS 068—2026 «Изотропный пористый графит для производства пластин карбида кремния», разработанный под руководством компании SIAMC Advanced Materials Co., Ltd. в соответствии с процедурами Комитета по стандартизации Альянса стратегических инноваций в области технологий полупроводниковой промышленности третьего поколения (CASAS), был официально опубликован для промышленности. Этот стандарт распространяется на изотропные пористые графитовые материалы и компоненты из них, используемые для роста монокристаллов карбида кремния и эпитаксии, с требованиями к чистоте не ниже 5N5 (массовая доля 99,9995%). Документ устанавливает технические требования к материалам, методы испытаний, правила приемки, маркировку, упаковку, транспортирование и хранение. Ранее, в 2025 году, CASAS уже опубликовал стандарт T/CASAS 048—2025 «Изостатически прессованный графит для выращивания монокристаллов карбида кремния». Появление нового стандарта еще больше дополнило картину стандартизации ключевых графитовых материалов для производства карбида кремния.
Пористый графит является незаменимым ключевым базовым материалом в производстве полупроводникового карбида кремния. Будучи углеродным материалом с высокой пористостью, он выполняет ключевые функции на двух основных этапах: рост монокристаллов подложки и эпитаксиальный процесс. В процессе роста монокристаллов подложки пористый графит напрямую влияет на качество кристаллов, регулируя соотношение атомов углерода и кремния в ростовой камере, оптимизируя распределение градиента температур и подавляя диффузию примесей, что способствует получению пластин большего размера. Во время роста кристаллов исходные порошки кремния и углерода должны сублимироваться в газ, а затем рекристаллизоваться. Пористый графит, благодаря своей пористой структуре, разделяет, смешивает, направляет и контролирует потоки исходных газов, обеспечивает дополнительный источник углерода, повышает соотношение C/Si в зоне роста и обеспечивает контролируемое высвобождение в требуемой пропорции, гарантируя стабильность материального потока на протяжении всего процесса роста. Это позволяет эффективно ослаблять эффект поликристаллизации на краях кристалла и обеспечивать рост монокристаллического политипа. Одновременно, теплопроводные свойства пористого графита способствуют выравниванию температурного поля в порошковой зоне, уменьшению обратного переноса паров и явления рекристаллизации на поверхности порошка, что повышает эффективность использования исходного материала карбида кремния и скорость роста кристаллов, а также оптимизирует распределение осевого удельного сопротивления, что особенно важно для изготовления крупногабаритных монокристаллов. Регулируя типы пор и оптимизируя тепловое поле, пористый графит также может подавлять разложение краев кристалла, способствовать расширению диаметра и улучшать общую стабильность роста.
В эпитаксиальном процессе пористый графит также выполняет критически важные задачи. Использование пористого графита в определенных зонах эпитаксиальной печи для карбида кремния, благодаря его уникальной структуре и теплопроводным характеристикам, позволяет регулировать распределение температурного поля внутри камеры печи. Это значительно улучшает однородность толщины осаждаемого эпитаксиального слоя и концентрации легирующей примеси, а также играет важную роль в уменьшении коробления или растрескивания эпитаксиальных пластин, вызванных неравномерностью температуры.
Карбид кремния, являющийся основным материалом для третьего поколения широкозонных полупроводников, переживает взрывной рост спроса в таких областях, как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрические накопители энергии и источники питания для центров обработки данных ИИ. Подложки из карбида кремния, будучи самым центральным звеном производственной цепочки, своим расширением мощностей напрямую стимулируют рост спроса на высококачественный пористый графит. Китай создал полную производственную цепочку материалов из карбида кремния, и отечественные предприятия достигли возможности масштабного серийного производства пластин диаметром от 6 до 8 дюймов.
Компания SIAMC Advanced Materials Co., Ltd., основанная в 2007 году со штаб-квартирой в городе Хучжоу провинции Чжэцзян, Китай, и второй производственной базой в Иньчуане, Нинся, занимает общую площадь около 66,7 гектаров. Компания обладает экологически чистыми передовыми производственными технологиями и специализируется на исследованиях, разработке, производстве и продаже высококачественных специальных графитовых материалов и композиционных материалов на углеродной основе. Она является национальным высокотехнологичным предприятием, национальным предприятием «маленький гигант» в категории специализированных и высокотехнологичных производств, а ее лаборатория аккредитована Китайской национальной службой по аккредитации (CNAS). Компания способна производить крупногабаритные компоненты тепловых зон диаметром 36 дюймов и более, с содержанием примесей в графите менее 5 ppm. Продукция широко применяется в полупроводниковой, фотоэлектрической, атомной и других отраслях промышленности. SIAMC является единственным членом Американского общества по испытаниям и материалам (ASTM) из графитовой промышленности Китая. К 2023 году компания приняла участие в разработке в общей сложности 19 национальных, отраслевых стандартов и стандартов ASTM, а также установила партнерские отношения с ведущими мировыми исследовательскими институтами, такими как Китайская академия наук, Университет Цинхуа и Оксфордский университет.
В число основных организаций-разработчиков данного стандарта также вошли Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co., Ltd., Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd., Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd., Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Шаньдунский университет, Институт полупроводников Китайской академии наук и другие ключевые предприятия и научно-исследовательские институты производственной цепочки. Стоит отметить, что такие компании, как Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. и Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd., являются ведущими китайскими производителями подложек из карбида кремния. Их участие позволило в процессе разработки стандарта напрямую учитывать реальные потребности и проверочные данные непосредственно с производственных линий.
В последние годы компания SIAMC активно работает в области стандартизации полупроводниковых графитовых материалов. 23 апреля 2025 года был официально опубликован стандарт T/CASAS 048—2025 «Изостатически прессованный графит для выращивания монокристаллов карбида кремния», разработанный под руководством SIAMC. Он распространяется на компоненты тепловых зон для роста монокристаллов карбида кремния с чистотой не ниже 5N5. Публикация стандарта T/CASAS 068—2026 расширяет охват стандартизации с изостатически прессованного графита на изотропный пористый графит, дополнительно детализируя технические требования к ключевым материалам для производства карбида кремния. 3 апреля 2026 года в Чансине, Хучжоу, состоялось третье рабочее совещание Объединенного инновационного центра по графиту, организованное Альянсом стратегических инноваций в области технологий материалов для интегральных схем и проведенное компанией SIAMC. На совещании было определено, что SIAMC возглавит обобщение результатов обсуждений и определит направления дальнейших прорывных исследований Объединенного центра, способствуя формированию отраслевой модели совместных исследований и разработок, совместной верификации и совместного создания стандартов по всей цепочке поставок, а также налаживанию полного цикла сотрудничества «материалы — оборудование — Fab-производство».
С точки зрения текущей ситуации в отрасли, пористый графит, являясь ключевым расходным материалом для полупроводников, долгое время в значительной степени зависел от импорта. Многие исследователи отмечали, что в процессе развития приборов на основе карбида кремния высококачественный пористый графит долгое время был узким местом, сдерживающим развитие отечественной индустрии полупроводниковых графитовых материалов. Высококачественная продукция из пористого графита для выращивания кристаллов в основном зависела от зарубежных производителей, отличалась высокой ценой и нестабильностью цепочки поставок, что делало импортозамещение крайне необходимым. Публикация стандарта T/CASAS 068—2026 предоставляет отечественным предприятиям по производству подложек и эпитаксиальных структур из карбида кремния единую базу для оценки качества. Это поможет направить поставщиков графитовых материалов на путь постоянного совершенствования в сторону более высокой чистоты и лучших характеристик, укрепить технологическую стыковку между звеньями производственной цепочки, способствовать индустриализации отечественных полупроводниковых графитовых материалов и обеспечению независимости и контролируемости цепочки поставок. SIAMC также является компанией, в которой публичная компания Black Peony, акции которой котируются на бирже A-акций, косвенно владеет долей через Changzhou Jinrui Carbon Material Venture Capital Enterprise, и в настоящее время процесс стабильно продвигается.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
