Репортаж от Wedoany，Компании Navitas Semiconductor и Magnachip Semiconductor Corporation объявили о стратегическом партнерстве, в рамках которого Magnachip получит лицензию на технологию GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) от Navitas для ускорения внедрения технологии карбида кремния (SiC) на рынках высоковольтного (HV) и сверхвысоковольтного (UHV) электрооборудования.
Согласно соглашению, лицензия, полученная Magnachip, охватывает технологию GeneSiC для классов напряжения 1200 В, 2300 В, 3300 В и выше. Magnachip планирует разрабатывать прикладные продукты для следующего поколения преобразования электроэнергии на основе зрелой платформы SiC-устройств от Navitas. Navitas предоставит поддержку в области цепочки поставок SiC и материалов, чтобы ускорить выход Magnachip на рынок. Стороны ожидают, что после переноса технологии, сертификации и интернализации на производственных мощностях Magnachip в Южной Корее, данное сотрудничество ускорит выход Magnachip в сферу SiC, сохраняя при этом преемственность с существующей технологической и материальной базой Navitas.
Ожидается, что лицензированная технология будет поддерживать приложения следующего поколения, включая энергетику и сетевую инфраструктуру, накопление энергии, промышленную электрификацию, автомобилестроение и другие высокомощные системы. Navitas и Magnachip отмечают, что технология SiC напрямую влияет на такие области, как электромобили, возобновляемая энергия, центры обработки данных для искусственного интеллекта и аэрокосмическая промышленность, однако сфера сотрудничества двух компаний не ограничивается этим. В пресс-релизе стороны заявили, что полный объем сотрудничества «будет подробно объявлен позднее».
Президент и главный исполнительный директор Navitas Крис Аллександр (Chris Allexandre) отметил, что данное стратегическое партнерство отражает долгосрочное видение компании по расширению применения GeneSiC на рынках высоковольтного и сверхвысоковольтного электрооборудования. Благодаря лицензированию технологии и поддержке цепочки поставок и материальной экосистемы, стороны открывают путь к более быстрому масштабированию передовых SiC-решений и способствуют более глубокому и долгосрочному сотрудничеству между ними. Главный исполнительный директор Magnachip Чэ Ли (Chae Lee) заявил, что данное соглашение открывает для Magnachip значительные новые рыночные возможности в области высоковольтного и сверхвысоковольтного SiC, а добавление технологии GeneSiC дополняет существующий портфель продуктов MOSFET и силовых полупроводников, позволяя обслуживать клиентов, которым требуются решения для преобразования электроэнергии с более высокой эффективностью, более высокими напряжениями и повышенной надежностью.
Navitas Semiconductor специализируется на силовых полупроводниках следующего поколения, особенно на технологиях нитрида галлия (GaN) и высоковольтного карбида кремния (SiC), стимулируя инновации в таких областях, как центры обработки данных для искусственного интеллекта, высокопроизводительные вычисления, энергетика и сетевая инфраструктура, а также промышленная электрификация. Magnachip Semiconductor, в свою очередь, проектирует и производит платформенные решения для аналоговых и смешанных силовых полупроводников, используемых в промышленности, автомобилестроении, связи, потребительском секторе и вычислительной технике. Стороны резюмируют, что данное сотрудничество направлено на ускорение внедрения технологии высоковольтного и сверхвысоковольтного карбида кремния посредством лицензирования технологии, поддержки цепочки поставок и сертификации технологии на заводе Magnachip в Южной Корее, поддерживая приложения следующего поколения для преобразования электроэнергии на нескольких высокомощных рынках.
