Tower Semiconductor из Японии инвестирует $3 млрд в расширение мощностей по производству кремниевой фотоники

Репортаж от Wedoany，Мировой производитель полупроводниковых пластин по технологии специализированных процессов Tower Semiconductor объявил о запуске двухнаправленного стратегического плана расширения при поддержке Министерства экономики, торговли и промышленности Японии в размере $1 млрд, направленного на увеличение мощностей по производству 300-мм (12-дюймовых) кремниевых фотонных (SiPho), кремний-германиевых (SiGe) компонентов и передовой упаковки.

Согласно плану, Tower Semiconductor инвестирует около $3 млрд (примерно 202,95 млрд юаней) в полномасштабное расширение своих 12-дюймовых мощностей по производству кремниевой фотоники, кремний-германиевых компонентов и передовой оптической упаковки в Японии, чтобы удовлетворить рост рынка высокоскоростных оптических межсоединений, вызванный взрывным спросом на вычислительные мощности искусственного интеллекта и центров обработки данных.

План расширения реализуется в два этапа. Первый этап сосредоточен на значительном увеличении производственных мощностей 12-дюймовых кремниевых фотонных устройств, с ожидаемым началом полномасштабного производства в четвертом квартале 2027 года. Этот этап включает модернизацию завода Arai в префектуре Ниигата (бывший Fab 6) для обеспечения производства 12-дюймовых кремниевых фотонных устройств и возможностей передовой упаковки, а также синергию с заводом Fab 7 в городе Уодзу, префектура Тояма, для максимального увеличения 12-дюймовых мощностей. Основываясь на перспективах роста первого этапа, Tower Semiconductor повысила свои долгосрочные финансовые цели, планируя достичь выручки в $3,6 млрд и чистой прибыли в $1,2 млрд к 2028 году.

Второй этап запускается одновременно с первым и предусматривает строительство нового завода по производству 12-дюймовых полупроводников рядом с заводом Fab 7. Строительство начнется после подписания и завершения соответствующих соглашений. После ввода в эксплуатацию ожидается, что этот завод многократно увеличит мощности Tower Semiconductor по производству кремниевой фотоники и кремний-германиевых компонентов, чтобы удовлетворить быстрорастущий спрос клиентов в приложениях искусственного интеллекта и центров обработки данных, а также способствовать развитию технологий оптических соединений следующего поколения.

Tower Semiconductor заявила, что создание передовых производственных мощностей по кремниевой фотонике и кремний-германиевым компонентам в Японии не только укрепит полупроводниковую экосистему и устойчивость цепочек поставок страны, но и создаст долгосрочную ценность для компании и местной промышленности.