Репортаж от Wedoany，Южнокорейская компания Samsung Electronics строит новый завод по производству DRAM на территории завода Кихын в городе Йонъин провинции Кёнгидо. Планируется переоборудовать участок, изначально предназначенный для строительства научно-исследовательского центра, в производственное помещение для памяти. Ожидаемая ежемесячная мощность нового завода составит около 100 000 пластин, а объем инвестиций может достичь нескольких триллионов вон. Строительство начнется уже в третьем квартале. Корректировка планов строительства связана с необходимостью удовлетворить растущий спрос на память и компенсировать дефицит предложения на рынке, вызванный ускорением инвестиций в глобальную инфраструктуру искусственного интеллектаинфраструктуру.
В настоящее время Samsung Electronics создала внутреннюю строительную организацию, отвечающую за планирование и строительство нового завода. Масштаб проекта сопоставим с одним из корпусов близлежащего завода Хвасон. Для размещения вспомогательных объектов, необходимых для линии производства DRAM, компания также рассматривает возможность сноса части существующих зданий на территории завода Кихын.
Место для нового завода DRAM изначально занимало здание «SR5». SR5 был знаковым научно-исследовательским центром завода Кихын и колыбелью полупроводникового бизнеса Samsung. Центр был основан основателем Samsung Electronics Ли Бён Чхолем в 1987 году, который подчеркивал дух «бесконечного поиска» среди сотрудников.
Поскольку существующие объекты SR5 больше не могли удовлетворять потребности в сверхточных процессах нанометрового уровня и разработке передовой памяти, руководство Samsung Electronics демонтировало здание в период с конца прошлого года до начала этого года.
Согласно предыдущим планам, после сноса SR5 на его месте планировалось построить два новых здания научно-исследовательского центра, которые должны были стать «контрольной башней исследований и разработок» завода Кихын, аналогичной башне DSR на близлежащем заводе Хвасон. С расширением подразделения Device Solutions, отвечающего за полупроводниковый бизнес Samsung Electronics, и увеличением числа исследователей, компания изначально планировала расширить исследовательское пространство за счет строительства нового научно-исследовательского центра.
Однако на фоне быстрого роста глобальных инвестиций в инфраструктуру искусственного интеллекта и ужесточения предложения на рынке памяти, Samsung Electronics в конечном итоге скорректировала первоначальные планы, изменив назначение участка с научно-исследовательского центра на производственное помещение для памяти.
В последнее время глобальные IT-компании ускоряют строительство крупномасштабных центров обработки данных для искусственного интеллекта, что стимулирует устойчивый рост спроса на память. Особенно в условиях, когда производители DRAM не могут полностью удовлетворить спрос на память с высокой пропускной способностью, начинает наблюдаться дефицит предложения универсальной памяти, используемой в смартфонах и персональных компьютерах.
Рыночное исследовательское агентство Counterpoint Research прогнозирует, что благодаря росту цен на продукцию, глобальный доход рынка DRAM в этом году вырастет с 150 миллиардов долларов до 210 миллиардов долларов, что эквивалентно примерно 312 триллионам вон.
С расширением рыночного спроса Samsung Electronics ускоряет наращивание мощностей по производству полупроводников. Один из отраслевых источников отметил, что только за первую половину этого года операционная прибыль Samsung Electronics превысила 140 триллионов вон, и компания в настоящее время ищет возможности для увеличения капитальных инвестиций. Отраслевые аналитики полагают, что по сравнению с продолжением строительства научно-исследовательского центра, руководство Samsung Electronics на данном этапе уделяет больше внимания быстрому наращиванию производственных мощностей для удовлетворения растущего спроса на память.
Помимо строительства нового завода DRAM на территории завода Кихын, Samsung Electronics также расширяет производство полупроводников, сосредоточившись на заводе Пхёнтхэк. На 4-м заводе в Пхёнтхэке строится новая производственная линия, рассчитанная на ежемесячное производство 100 000 пластин DRAM, необходимых для памяти HBM4 шестого поколения с высокой пропускной способностью.
Samsung Electronics также планирует построить новый завод в городе Йонъин провинции Кёнгидо, который станет кластером полупроводников следующего поколения, с целью ввода в эксплуатацию к 2029 году. Кроме того, компания строит второй передовой полупроводниковый завод в кластере полупроводников в городе Кванджу провинции Чолла-Намдо, планируя инвестировать 400 триллионов вон.
