Репортаж от Wedoany，Компания Micron Technology объявила о долгосрочном инвестиционном плане на территории США на сумму более 250 миллиардов долларов, что значительно превышает прошлогоднюю цель в 200 миллиардов долларов. Этот план направлен на перенос 40% производства DRAM (динамической памяти с произвольным доступом) компании на территорию США.
9 июля компания Micron Technology объявила о планах инвестировать более 250 миллиардов долларов в США к 2035 году на строительство заводов и научно-исследовательские разработки. Конкретные проекты включают строительство второго передового завода по производству микросхем памяти в Бойсе, штат Айдахо, а также расширение существующего объекта в Манассасе, штат Вирджиния. Кроме того, десятки миллиардов долларов будут направлены на технологические исследования и разработки.
В рамках этого инвестиционного плана Micron Technology объявила об инвестициях в размере до 3 миллиардов долларов в США для укрепления экосистемы полупроводниковой цепочки поставок в стране, создания ключевых производственных мощностей полупроводников, необходимых для будущих технологических инноваций, и удовлетворения спроса на передовую память со стороны искусственного интеллекта и других приложений с интенсивным использованием данных. Из этих средств 500 миллионов долларов будут направлены на стратегическое финансирование компании GlobalWafers для поддержки строительства завода по производству 300-мм исходных кремниевых пластин в Шермане, штат Техас. Две компании также подписали 10-летнее соглашение о поставках, обеспечивающее Micron Technology достаточные мощности по производству кремниевых пластин, и планируют совместно разрабатывать технологии следующего поколения и инновационные процессы.
На открытии торгов 9 июля акции Micron Technology выросли более чем на 7%, рыночная капитализация составила 1,2 триллиона долларов.
До объявления этого инвестиционного плана правительство Южной Кореи 29 июня совместно с Samsung Group и SK Group объявило о корпоративном инвестиционном плане внутри страны на общую сумму 4755 триллионов вон, сосредоточенном на трех ключевых категориях проектов: полупроводники, физический ИИ и центры обработки данных ИИ. В частности, на юго-западе Южной Кореи планируется инвестировать 800 триллионов вон (около 518 миллиардов долларов) в строительство четырех заводов по производству полупроводников, по два из которых будут принадлежать Samsung Electronics (005930.KS) и SK Hynix (000660.KS). В частности, SK Hynix планирует инвестировать 1100 триллионов вон в расширение поставок DRAM и NAND-флэш-памяти, а Samsung планирует вложить 400 триллионов вон в строительство нового завода по производству пластин в Кванджу и 56 триллионов вон в строительство нового завода по производству HBM (высокопроизводительной памяти) в Чхонане и Оняне.
Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology являются тремя крупнейшими в мире производителями DRAM. Эти инвестиционные планы демонстрируют решимость международных производителей DRAM расширять производственные мощности памяти и усиливать собственные производственные возможности. Аналитик TrendForce Цзяюань Сюй отметил, что планы расширения мощностей каждого поставщика в конечном итоге будут зависеть от конкретной реализации и структуры клиентов.
Китайский производитель DRAM компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) запустила процедуру размещения акций на科创板 (STAR Market), планируя привлечь 29,5 миллиарда юаней в ходе первичного публичного размещения. Средства будут направлены на модернизацию технологии памяти DRAM, перспективные научно-исследовательские разработки, а также на проекты по модернизации и реконструкции линий массового производства пластин.
