Репортаж от Wedoany，Mitsubishi Chemical и Japan Steel Works (JSW) планируют увеличить производственные мощности по выпуску нитрида галлия (GaN) на 50% в ответ на растущий спрос со стороны электромобилей, инверторов и источников питания для центров обработки данных. Этот план расширения был раскрыт газетой Nikkei 7 июля.

Две компании долгое время сотрудничали в разработке самонесущих подложек из нитрида галлия для силовой электроники. Mitsubishi Chemical отвечает за разработку затравочных кристаллов и материаловедческих процессов, а JSW, используя свой завод в Муроране, осуществляет производство подложек. В апреле этого года обе компании уже удвоили мощности по выпуску подложек и затравочных кристаллов по сравнению с уровнем 2021 финансового года. Согласно новому плану, к апрелю 2027 года производственные мощности будут увеличены в три раза по сравнению с 2021 финансовым годом, что на 50% больше, чем в 2026 году.

По сравнению с традиционным кремнием, GaN способен выдерживать более высокие напряжения; по сравнению с карбидом кремния (SiC), GaN обладает такими характеристиками, как быстрое управление током и подавление потерь электроэнергии. В настоящее время производимые обеими компаниями 4-дюймовые подложки GaN все еще находятся на стадии валидации у клиентов. Для соответствия тенденции увеличения диаметра пластин в отрасли, компании разработали четкий график обновления, планируя начать поставки образцов 6-дюймовых подложек в 2026 финансовом году, а образцов 8-дюймовых подложек — в 2028 финансовом году.