Репортаж от Wedoany，Во втором полугодии многие аналитические агентства прогнозируют дальнейший рост средней цены продажи памяти, а на рынке широко распространено мнение, что к 2027 году может возникнуть отраслевой дефицит предложения.
Восходящий тренд на рынке DRAM остаётся устойчивым. По состоянию на начало июля 2026 года цена 16Gb DDR5 достигла примерно 47 долларов США, установив исторический рекорд. Аналитики Bank of America (BofA) в своём отчёте отмечают, что расширение спроса на вычислительные мощности ИИ и продолжающийся перенос производственных мощностей в пользу HBM являются двумя ключевыми факторами этой ситуации. В то же время ведущие производители, сокращая объёмы выпуска DDR4, в сочетании с пополнением запасов со стороны клиентов, способствовали росту цен на DDR4 до пиковых значений текущего цикла.
В сегменте NAND flash также сохраняется сильный восходящий импульс. Контрактная цена 512Gb NAND-пластин в настоящее время выросла примерно до 25 долларов США, значительно превысив цены спотового рынка. По сравнению с циклическим минимумом около 2,5 долларов в феврале 2025 года, совокупный рост составил почти 10 раз.
Что касается будущих тенденций, исследовательское агентство TrendForce незначительно скорректировало свой прогноз роста средней цены продажи (ASP) NAND во втором квартале 2026 года, снизив его до 55–60%; однако одновременно оно повысило прогноз на четвёртый квартал, ожидая роста на 10–15%. Прогнозная модель BofA схожа, но более консервативна: по оценкам, рост ASP NAND во втором квартале 2026 года составит около 65%, в третьем квартале — около 13%, а в четвёртом — около 1%.
Со стороны спроса, четыре крупнейшие технологические компании США — Amazon, Microsoft, Google и Meta — по прогнозам, увеличат совокупные капитальные затраты в 2026 году примерно на 80% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, достигнув общей суммы около 700 миллиардов долларов. Эта тенденция будет продолжать укреплять долгосрочный спрос центров обработки данных на продукты памяти. BofA выражает уверенность в росте объёмов данных в ближайшие три-пять лет, полагая, что под влиянием загрузки облачных данных, распространения приложений для обучения и вывода ИИ, а также новых областей, таких как «физический ИИ», глобальный объём данных, измеряемый в эксабайтах, может расти с годовым темпом более 25%. Это означает, что спрос на память не ограничится только этапом обучения ИИ, но также распространится на сценарии вывода и периферийных вычислений, формируя более устойчивую и широкую базу спроса.
В отчёте BofA также особо отмечается взрывной рост бизнеса SanDisk в сегменте корпоративных SSD, где соответствующая выручка увеличилась в 7 раз по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. В настоящее время SanDisk продвигает технологию «высокопропускной флэш-памяти», целью которой является достижение производительности, близкой к DRAM, при значительно более низкой стоимости. Ожидается, что этот продукт будет постепенно выводиться на рынок в период с конца 2026 по 2027 год и может стать важным фактором в сфере корпоративного хранения данных.
В целом, ключевой вывод BofA заключается в том, что текущий цикл памяти ещё не достиг пика. Под влиянием спроса со стороны ИИ и центров обработки данных отрасль вступает в структурный восходящий канал, и настоящая точка перелома спроса и предложения может наступить в более отдалённом будущем.
Стоит отметить, что китайские производители памяти ускоряют разработку технологии DDR5 DRAM, чтобы удовлетворить быстрорастущий спрос со стороны ИИ, корпоративных вычислений и потребительской электроники. Их технологический уровень приближается к трём мировым гигантам памяти — Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. По сообщениям Yin Technology, крупнейший китайский производитель DRAM, компания CXMT, ускоряет продвижение по технологической дорожной карте DDR5 и уже начал разработку и массовое производство модулей DDR5 DRAM более высоких спецификаций. Его новейшие модули DRAM достигли скорости передачи данных 8000 МТ/с, охватывая микросхемы ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит. В то же время DRAM ёмкостью 32 Гбит также вышла на потребительский рынок, став важным драйвером модернизации отечественной индустрии памяти в Китае.
