Американская компания Micron Technology начала расширение завода по производству полупроводниковых пластин в Хиросиме, Япония, инвестировав 9,3 миллиарда долларов в развитие HBM

2026-07-06 08:50
В избр.

Репортаж от Wedoany,4 июля по местному времени американская компания Micron Technology начала расширение завода по производству полупроводниковых пластин в Хиросиме, Япония. Общий объем инвестиций в проект составляет около 1,5 триллиона иен, что эквивалентно примерно 9,3 миллиарда долларов. Проект будет направлен на производство высокопроизводительной памяти, такой как HBM, и других передовых чипов памяти, ориентированных на потребности процессоров для ИИ. Ожидается, что соответствующая продукция начнет поставляться примерно летом 2028 года.

Высокопроизводительная память (HBM) является ключевым компонентом хранения данных в серверах и ускорителях ИИ. Она обычно используется в сочетании с процессорами, такими как GPU и AI ASIC, или работает совместно с ними для повышения пропускной способности передачи данных и эффективности вычислений моделей. По мере расширения масштабов обучения больших моделей, их вывода и кластеров центров обработки данных, возможности поставок HBM стали важным ограничивающим фактором в цепочке поставок чипов для ИИ. Расширение производства передовой памяти Micron в Хиросиме направлено не на расширение выпуска обычной потребительской памяти, а на создание мощностей для хранения данных, ориентированных на процессоры ИИ, серверы центров обработки данных и вычислительные платформы следующего поколения.

Министерство экономики, торговли и промышленности Японии предоставит субсидии на поддержку этого проекта в размере до 500 миллиардов иен. Для Японии привлечение Micron для расширения производства HBM и передовой DRAM поможет укрепить собственную базу полупроводникового производства и повысить участие страны в глобальной цепочке поставок аппаратного обеспечения для ИИ.

Завод Micron в Хиросиме долгое время выполнял задачи по производству передовой DRAM для компании. После расширения он будет дополнительно задействован в производстве продуктов памяти для ИИ. Производство HBM предъявляет высокие требования к процессу обработки пластин, упаковке с вертикальным соединением, контролю выхода годных, возможностям тестирования и сертификации клиентов. Простое увеличение площади завода не позволит немедленно создать эффективные производственные мощности. Период от начала строительства до начала поставок примерно летом 2028 года указывает на то, что цикл строительства будет охватывать несколько этапов: расширение завода, установка оборудования, верификация технологического процесса, сертификация клиентов и наращивание объемов производства. Для клиентов, использующих чипы ИИ, высвобождение новых мощностей HBM может помочь частично ослабить напряженность с поставками высокопроизводительной памяти, но реальное влияние на рыночное предложение будет зависеть от выхода годных, поколения продукта, упаковочного сопровождения и ритма заказов клиентов.

Этот проект также является частью глобального плана Micron по расширению мощностей для хранения данных в сфере ИИ. Помимо Хиросимы, Micron также продвигает крупномасштабные инвестиции в передовые технологические процессы в штатах Айдахо и Нью-Йорк, США, для увеличения поставок DRAM и HBM. Поскольку NVIDIA, AMD, облачные сервисы и компании, производящие чипы для ИИ, продолжают повышать спрос на высокопроизводительную память, мировые производители памяти разворачивают конкуренцию в области мощностей и технологий вокруг HBM3E, HBM4 и последующих продуктов. После реализации проекта в Хиросиме Micron будет одновременно продвигать размещение мощностей для хранения данных в сфере ИИ в Азии и США, формируя более диверсифицированную производственную сеть.

В настоящее время проект уже официально начат, определены масштабы инвестиций, условия субсидирования и предварительные сроки поставок. Последующие усилия будут сосредоточены на завозе оборудования, внедрении технологических процессов, верификации продуктов HBM, сертификации клиентов и наращивании объемов производства после 2028 года.

Ключевые слова: американская компания Micron Technology, завод по производству полупроводниковых пластин в Хиросиме, Япония, HBM, чипы памяти для ИИ, 1,5 триллиона иен

Эта новость является результатом компиляции и перепечатки информации из глобального Интернета и стратегических партнеров. Она предназначена только для читателей. Если у вас возникнут какие-либо нарушения или другие проблемы, пожалуйста, своевременно сообщите нам. Этот сайт изменить или удалить ее. Перепечатка этой статьи без официального разрешения строго запрещена.электронная почта:news@wedoany.com

Связанные продукты

Беспилотный рефрижератор Neolix X6 - Neolix Beijing Technology Co., Ltd.
Решение для защиты офиса от утечки данных - Sangfor Technologies Inc.
Беспроводная локальная сеть | Точка доступа AirEngine 5776-56T - Huawei
Решения для систем безопасности SIS - Beijing Consen Automation Technology Co., Ltd.
QPS-20A Резервированный переключатель питания - CHN ENERGY ZHISHEN CONTROL TECHNOLOGY CO., LTD.
Лазерный принтер TG1020AD - Xiamen Hanin Co., Ltd.
6422 Оптический рефлектометр (OTDR) - Ceyear Technologies Co., Ltd.
Контроллер системы обнаружения горючих газов 30 - Jinan Benan Technology Development Co., Ltd.
Автоматический патрульный робот/автоматический робот безопасности - FOTUN HONGKONG LIMITED
Антенные системы и сопутствующая электронная продукция - Chengdu Zhongdian Jinjiang Information Industry Co., Ltd.
Промышленная кольцевая сеть Ethernet для горнодобывающей промышленности (10 Гбит/с / 1 Гбит/с) - Chongqing Mas Sci&Tech Co., Ltd.
Интеллектуальный автоматический калибратор давления ConST811A - Beijing ConST Instruments Technology Inc.
Читайте также
Индийская Jubilant Ingrevia планирует приобрести 40% акций Zettaone за 1,892 млрд рупий, завершение сделки ожидается в 2026–2027 годах
2026-08-20
Diraq открывает первую квантовую лабораторию в Чикаго, США
2026-08-20
SEMI прогнозирует, что объем мировых продаж полупроводникового оборудования в 2026 году достигнет 165,9 млрд долларов США
2026-08-19
Британская компания Quantum Motion открыла операционный центр в США, в штате Мэриленд
2026-08-19
В Остине (штат Техас) обнародован генеральный план квантового технологического кампуса Occam Foundry, начаты земляные работы
2026-08-19
Индийская QpiAI запускает 8-дюймовую квантовую фабрику, к 2027 году поддержит 10 000 кубитов
2026-08-18
DARPA и BAE завершили первый этап отвода тепла от GaN-устройств: плотность мощности увеличена в пять раз
2026-08-17
NXP расширяет завод в Малайзии: 500 000 кв. футов новых площадей, запуск в 2028 году
2026-08-14
Японская компания TIER IV присоединилась к программе разработки периферийных ИИ-полупроводников, открывая исходный код чипа для автономного вождения
2026-08-14
Фотонный PDK компании OpenLight интегрирован в платформу PH18DA компании Tower Semiconductor
2026-08-12