Samsung объявляет о планах по созданию 1000-слойной NAND, ёмкость увеличится в четыре раза к 2030 году

Репортаж от Wedoany，Компания Samsung представила дорожную карту технологий SSD следующего поколения на симпозиуме VLSI Symposium 2026, планируя увеличить ёмкость накопителей в четыре раза по сравнению с текущими моделями за счёт стекирования до 1000 слоёв флэш-памяти NAND, что открывает путь к созданию потребительских накопителей ёмкостью до 32 ТБ.

Samsung не намерена создавать единый 1000-слойный чип, а использует технологию Cell-Multi Bonding (CMB), склеивая два независимых стека NAND по 450–500 слоёв. Компания отмечает, что с ростом потребностей в хранении данных для искусственного интеллекта, центров обработки данных и корпоративных нагрузок спрос на SSD большой ёмкости быстро увеличивается. Samsung ускоряет дорожную карту разработки NAND, планируя к 2029 году достичь 420 слоёв, к 2030 году — более 560 слоёв, а затем, в начале следующего десятилетия, преодолеть отметку в 1000 слоёв.

Создание чипов NAND с сотнями слоёв сопряжено с рядом трудностей, главная из которых — снижение точности производства из-за деформации пластин. Samsung улучшила стабильность пластин в процессе производства с помощью новой конструкции «верхнего патрона» (Upper Chuck) и разработала передовые методы коррекции совмещения для уменьшения ошибок выравнивания. Эти усовершенствования направлены на то, чтобы сделать производство сверхвысокослойной NAND более практичным и снизить производственные сложности.

Технический аналитик доктор Иэн Катресс (Dr. Ian Cutress) отмечает, что объединение двух 450-слойных стеков NAND с помощью технологии Cell-Multi Bonding может значительно увеличить ёмкость. Например, современный 8-терабайтный QLC SSD с использованием будущей 1000-слойной архитектуры Samsung может быть расширен до 32 ТБ.

В гонке по разработке NAND-памяти более высокой плотности компания SK Hynix первой коммерциализировала 321-слойную технологию NAND и разрабатывает 400-слойную NAND с использованием процесса гибридного соединения (Hybrid Bonding). Samsung, в свою очередь, исследует технологию вертикального соединения (Vertical Bonding). Китайский производитель памяти YMTC уже выпускает чипы NAND на 232 и 294 слоя и инвестирует в новые мощности для расширения производства.

Технология NAND Samsung на 900–1000 слоёв всё ещё находится на стадии прототипа, коммерческие продукты ожидаются примерно к 2030 году. До этого компания планирует выпустить чипы NAND с более чем 400 слоями в ближайшие годы, постепенно реализуя долгосрочную цель по созданию накопителей, ёмкость которых значительно превышает текущие модели.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com