Репортаж от Wedoany，Полупроводниковая компания SK Hynix 18 июня объявила, что досрочно предоставила клиентам образцы 12-слойной продукции HBM4E — это седьмое поколение высокопроизводительной памяти (HBM), использующей шестое поколение 10-нанометровой 1c DRAM.
В SK Hynix отметили, что опыт массового производства и поставок HBM3, HBM3E и HBM4 заложил основу для ускоренной разработки новых продуктов. Компания будет тесно сотрудничать с ключевыми клиентами, чтобы обеспечить своевременное массовое производство и устранить узкие места передачи данных в системах ИИ. Данная поставка образцов произошла раньше плана, озвученного компанией на телефонной конференции по итогам первого квартала в апреле этого года, — тогда сообщалось о предоставлении образцов HBM4E во втором полугодии.
HBM4E превосходит предыдущее поколение HBM4 по производительности и энергоэффективности, в основном за счет усовершенствования основных кристаллов DRAM, архитектуры интерфейса и производственного процесса. В этом продукте впервые в HBM применена 1c DRAM шестого поколения с 10-нанометровым техпроцессом, тогда как предыдущие поколения (включая HBM4) использовали 1b DRAM пятого поколения. Емкость каждого основного кристалла увеличена: используются кристаллы DRAM объемом 32 Гбит (4 ГБ), что на 50% выше плотности HBM4. 12-слойная укладка обеспечивает общий объем памяти 48 ГБ, в то время как 12-слойная укладка HBM4 с кристаллами 24 Гбит (3 ГБ) имеет емкость 36 ГБ.
Количество контактов ввода/вывода (I/O) остается 2048, но скорость передачи данных на каждый контакт достигает 16 Гбит/с, что на 45% выше предыдущего диапазона 11–13 Гбит/с. Одна укладка обеспечивает пропускную способность около 4 ТБ/с, что, по оценкам отрасли, на 40–50% выше, чем у HBM4. Энергоэффективность также повышена более чем на 20%, что способствует улучшению производительности рабочих нагрузок обучения и вывода ИИ.
В SK Hynix заявили, что HBM4E благодаря обновленному интерфейсу и оптимизации конструкции снижает задержки передачи данных, обеспечивая стабильную работу в средах высокопроизводительных вычислений. Ожидается, что этот продукт повысит эффективность обработки данных в центрах обработки данных ИИ нового поколения и крупномасштабных вычислительных системах. Компания не раскрыла спецификации базового кристалла; отраслевые источники полагают, что SK Hynix использует 3-нанометровый техпроцесс TSMC для изготовления базового кристалла HBM4E с целью повышения производительности и энергоэффективности, тогда как предыдущие поколения базовых кристаллов изготавливались по 12-нанометровому техпроцессу TSMC. Базовый кристалл служит управляющим слоем HBM, отвечая за операции чтения/записи данных, коррекцию ошибок и другие функции, влияющие на производительность и надежность.
HBM4E использует передовой процесс упаковки MR-MUF (массовый переток с заливкой подложки) для 12-слойной укладки, применяя эпоксидный компаунд (EMC) с улучшенными тепловыми свойствами в качестве связующего материала между кристаллами DRAM. Этот материал сначала соединяется с помощью высокотемпературного перетока, а затем окончательно монтируется с использованием тепла и давления системы термокомпрессионной сварки. В SK Hynix отметили, что по сравнению с HBM4 оптимизация процесса MR-MUF повысила структурную стабильность и снизила тепловое сопротивление примерно на 17%, что обеспечивает более надежную работу в средах высокопроизводительных вычислений.
Президент и главный директор по разработкам (CDO) SK Hynix Ан Хён (Ahn Hyun) заявил: «HBM4E объединяет накопленный технический опыт и производственные возможности SK Hynix, закладывая основу для дальнейшего лидерства в инновациях ИИ. Вместе с партнерами мы будем активно предоставлять ценность, востребованную рынком, и укреплять технологическое лидерство в качестве поставщика полноценной памяти для ИИ».
Samsung Electronics также 29 мая поставила клиентам образцы 12-слойной HBM4E. Этот продукт также основан на 32-Гбит 1c DRAM, а базовый логический кристалл изготовлен по 4-нанометровому техпроцессу Samsung. В Samsung заявили, что этот процесс уже достиг достаточного уровня выхода годных и готовности к производству, и начнут массовый выпуск в соответствии с графиком клиентов. По мере ускорения спроса на память ИИ следующего поколения ожидается, что обе компании будут активно бороться за контракты на производство HBM4E.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
