Репортаж от Wedoany，Компания Applied Materials, Inc. представила две новые системы производства чипов, предназначенные для решения задач прецизионной обработки в передовых 3D-полупроводниковых структурах. Эти системы, используемые для осаждения и травления, помогают производителям чипов добиться дальнейшей миниатюризации в области логических и запоминающих устройств, обеспечивая более высокую производительность, лучшую энергоэффективность и повышенный выход годных изделий для чипов ИИ следующего поколения.
Рост вычислений ИИ ускоряет переход отрасли к передовым 3D-архитектурам устройств, таким как транзисторы с кольцевым затвором (GAA) и многослойные 3D NAND. По мере того как элементы в этих вертикальных структурах становятся глубже и уже, традиционные процессы осаждения и травления не могут равномерно распределять материал от вершины до основания, что приводит к вариациям, снижающим электрические характеристики и выход годных. Для решения этой проблемы компания Applied Materials представила системы Centris™ Spectral™ SiN ALD и Producer™ Selectra™ Mo для травления. Вместе эти системы обеспечивают производителям чипов точный контроль осаждения диэлектрических пленок и удаления металла в структурах с высоким аспектным соотношением, позволяя добиться более равномерной обработки материалов, поддерживая дальнейшую 3D-миниатюризацию и обеспечивая лучшие характеристики устройств, более строгий контроль процесса и улучшенную технологичность.
Доктор Прабху Раджа, президент подразделения полупроводниковых продуктов Applied Materials, отметил, что по мере того как отрасль продвигает границы вычислений ИИ, наибольшие возможности открываются в области материаловедения. Производителям чипов требуются новые методы для точного осаждения и селективного удаления материалов в сложных 3D-архитектурах, и новые системы предоставляют дифференцированные возможности, помогая клиентам преодолевать барьеры миниатюризации и ускорять инновации. Система Centris Spectral SiN ALD использует инновационную технологию высокоплотной микроволновой плазмы, позволяющую осаждать высококачественные пленки нитрида кремния (SiN) внутри глубоких и узких структур, устраняя компромисс между плотностью плазмы и ионно-индуцированными повреждениями, характерный для традиционных методов. Система обеспечивает плотное и равномерное осаждение SiN при низких температурах, что подходит для дальнейшей миниатюризации DRAM и логических устройств, например, для формирования высококачественных контактных прокладок в транзисторах GAA для снижения сопротивления и емкости. Система основана на новой платформе Spectral ALD от Applied Materials, которая использует передовую четырехреакторную конструкцию с точной подачей химикатов, множеством возможностей плазменной и термической обработки, а также специализированным оборудованием для временного и пространственного ALD, позволяя создавать множество передовых пленок для современных чипов ИИ. Система Spectral SiN ALD уже используется ведущими производителями чипов.
Система Producer Selectra Mo для травления вводит новые возможности селективного удаления металла, обеспечивая точное и равномерное разделение линий слов во всем стеке 3D NAND. Благодаря инженерному контролю процесса и передовой подаче газа система преодолевает ограничения влажного травления в глубоких элементах, обеспечивая превосходную однородность от вершины до основания и точность профиля, что способствует снижению токов утечки и улучшению сохранности данных. Травление Selectra Mo уже прошло валидацию в крупносерийном производстве, поддерживая переход от традиционных влажных процессов к следующему поколению 3D NAND-миниатюризации и расширяя портфель продуктов Selectra с диэлектрических и кремниевых применений на передовую металлическую интеграцию, открывая новые возможности в области NAND, DRAM и контрактной логики.
Компания Applied Materials представит эти инновации на симпозиуме 2026 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits в 2026 году, а 16 июня проведет панельную дискуссию, посвященную тому, как системная архитектура, логические и запоминающие технологии, передовая упаковка и производство могут совместно оптимизироваться для продвижения вычислений на основе ИИ.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
