Репортаж от Wedoany，Компания ROHM объявила о разработке двух новых серий Super Junction MOSFET с напряжением пробоя 600 В — серии R60xxXNx и R60xxWNx. Эти серии обеспечивают высокое напряжение пробоя и низкое сопротивление в открытом состоянии, при этом выполнены в компактных и низкопрофильных корпусах с улучшенным отводом тепла. Благодаря расширению модельного ряда пользователи могут выбирать наиболее подходящие компоненты в зависимости от конкретных требований применения.

Постоянный рост вычислительных нагрузок в центрах обработки данных и промышленном оборудовании приводит к увеличению потребности в электроэнергии. Для снижения энергопотребления и тепловыделения рынок предъявляет более высокие требования к эффективности источников питания. Одновременно с этим тенденция к миниатюризации оборудования стимулирует технологическое совершенствование соответствующих компонентов. Новые серии MOSFET, представленные компанией ROHM, разработаны именно для удовлетворения этих потребностей.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com