Репортаж от Wedoany，Корпорация Mitsubishi Electric (Mitsubishi Electric Corporation) представляет образцы кристаллов MOSFET пятого поколения на основе карбида кремния (SiC), разработанные специально для применения в силовых агрегатах электромобилей. Компания планирует начать поэтапную поставку образцов с конца июня, предназначенных для тяговых инверторов и систем eAxle в электромобилях (EV), подключаемых гибридных автомобилях (PHEV) и других платформах электрифицированных транспортных средств.
Новая продукция использует запатентованную технологию траншейных SiC MOSFET компании Mitsubishi Electric, обеспечивая более низкие потери проводимости по сравнению с предыдущим поколением. Сопротивление в открытом состоянии продуктов пятого поколения примерно на 25% ниже, чем у существующих решений, что способствует повышению общей эффективности преобразования мощности в автомобильных тяговых системах.
Снижение сопротивления в открытом состоянии напрямую уменьшает потери проводимости в инверторе, повышая эффективность трансмиссии и обеспечивая более эффективное использование энергии аккумулятора. Производители транспортных средств могут за счет этого увеличить запас хода, одновременно поддерживая более компактные и эффективные архитектуры силовых агрегатов.
Компания Mitsubishi Electric отмечает, что новые кристаллы SiC MOSFET предназначены для поддержки постоянного развития высокопроизводительных инверторов и интегрированных систем eAxle, где повышение плотности мощности и эффективности остается ключевой целью проектирования. Эти компоненты могут способствовать миниатюризации систем и улучшению мощностных характеристик, стимулируя переход отрасли к более эффективным электрифицированным транспортным средствам.
Усовершенствования в технологии производственных процессов направлены на минимизацию долгосрочной деградации характеристик и снижение колебаний ключевых параметров (таких как потери мощности и сопротивление в открытом состоянии) в течение срока службы компонента. В автомобильной среде особенно важна стабильность электрических характеристик при длительной эксплуатации, учитывая высокие требования к надежности и долговечности.
Благодаря сочетанию более низких потерь с повышенной согласованностью и долгосрочной стабильностью, новые SiC MOSFET призваны улучшить долговечность и эксплуатационные характеристики инверторов и систем eAxle для xEV.
Компания Mitsubishi Electric планирует продемонстрировать кристаллы SiC MOSFET пятого поколения на выставке PCIM Expo & Conference в Нюрнберге (Германия) в 2026 году, а также на других отраслевых выставках на международных рынках, включая Японию и Китай. Данная продукция расширяет портфель карбидокремниевых решений компании для следующего поколения автомобильных электрифицированных приложений.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
