В EPFL (Швейцария) создан чиповый сверхбыстрый лазер с длительностью импульса 147 фемтосекунд

2026-06-06 11:55
В избр.

Репортаж от Wedoany,Исследователи из Швейцарской высшей технической школы Лозанны (EPFL) успешно интегрировали сверхбыстрый лазер в фотонный чип, добившись выдачи сверхкоротких импульсов длительностью 147 фемтосекунд с энергией одного импульса 1,05 наноджоуля, что сопоставимо с характеристиками настольных фемтосекундных лазеров. Данное достижение направлено на решение давних проблем сверхбыстрых лазеров, связанных с их громоздкостью и высокой стоимостью. В EPFL отмечают, что, несмотря на более чем двадцатилетние усилия, большинство традиционных сверхбыстрых лазеров по-прежнему пригодны лишь для использования в громоздких оптических платформах.

Команда EPFL под руководством профессора Тобиаса Дж. Киппенберга в статье, опубликованной 3 июня 2026 года в журнале Nature, сообщила о создании первого интегрированного сверхбыстрого лазера, сопоставимого по характеристикам с настольными фемтосекундными лазерами. Профессор Киппенберг отметил, что на протяжении более двадцати лет создание фемтосекундного лазера с высокой энергией импульса на чипе считалось «святым Граалем» интегральной фотоники, и их результат показывает, что этого можно достичь с помощью изящной архитектуры, ранее игнорировавшейся сообществом интегральной фотоники. Исследовательская группа использовала лазерную конструкцию, известную как «осциллятор Мамишева», в которой в резонаторе размещается нелинейный волновод, расположенный между двумя оптическими фильтрами, каждый из которых пропускает только разные фрагменты спектра. При прохождении через волновод сильные импульсы расширяются до более широкого цветового диапазона, позволяя части световой энергии одновременно пройти через оба фильтра и продолжить циркуляцию, тогда как слабый свет отфильтровывается из-за недостаточного расширения. Первый соавтор статьи Чжэру Цю указал, что такая конструкция не требует каких-либо компонентов, которые было бы трудно изготовить на чипе из легированного эрбием нитрида кремния.

Чиповый сверхбыстрый лазер EPFL в работе на лабораторной испытательной установке. Устройство генерирует чрезвычайно короткие лазерные импульсы непосредственно на фотонном чипе

На чипе 42-сантиметровый лазерный резонатор может быть свернут в пространство размером со спичечный коробок, что значительно меньше лазеров на основе оптического волокна. Поскольку эти фотонные чипы могут изготавливаться на пластинах, подобно компьютерным чипам, за один раз можно произвести более 1000 лазерных резонаторов, что открывает путь к созданию более дешевых сверхбыстрых лазеров для сенсорики, спектроскопии и метрологии. Чжэру Цю отметил, что благодаря пиковой мощности в киловаттном диапазоне этот чип способен обеспечивать работу требовательных приложений, которые долгое время зависели от крупных и дорогих лабораторных лазеров. Данное достижение может способствовать созданию портативных и недорогих инструментов для обнаружения загрязнителей, выявления скрытых дефектов и медицинской диагностики, а также проложить путь к компактным оптическим атомным часам, необходимым для будущих систем связи и навигации.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com

Эта новость является результатом компиляции и перепечатки информации из глобального Интернета и стратегических партнеров. Она предназначена только для читателей. Если у вас возникнут какие-либо нарушения или другие проблемы, пожалуйста, своевременно сообщите нам. Этот сайт изменить или удалить ее. Перепечатка этой статьи без официального разрешения строго запрещена.электронная почта:news@wedoany.com

Связанные продукты

Решения для систем безопасности SIS - Beijing Consen Automation Technology Co., Ltd.
6422 Оптический рефлектометр (OTDR) - Ceyear Technologies Co., Ltd.
Решение для защиты офиса от утечки данных - Sangfor Technologies Inc.
Интеллектуальный автоматический калибратор давления ConST811A - Beijing ConST Instruments Technology Inc.
Планшетный портативный спутниковый терминал  Ручной портативный терминал с антенной диаметром 0,35 м - China Starwin Science & Technology co., Ltd.
Автоматический патрульный робот/автоматический робот безопасности - FOTUN HONGKONG LIMITED
Контроллер системы обнаружения горючих газов 30 - Jinan Benan Technology Development Co., Ltd.
Промышленная кольцевая сеть Ethernet для горнодобывающей промышленности (10 Гбит/с / 1 Гбит/с) - Chongqing Mas Sci&Tech Co., Ltd.
Комплексные услуги персонального менеджера полного цикла для системной интеграции логистики - Zhongding Intelligent (Wuxi) Technology Co., Ltd.
Т профиль шкафа - Xinli Tongchuang Electronic Equipment Co., Ltd.
Интеллектуальная система мониторинга конвейерных лент - LUO YANG WIRE ROPE INSPECTION TECHNOLOGY CO., LTD.
Префабрикованный модуль центра обработки данных - INSPUR Co., Ltd.
Читайте также
Американская компания Synopsys и Amazon подписали соглашение о сотрудничестве в сфере чипов на сумму более 1 млрд долларов США
2026-10-10
NVIDIA обещает вложить 1 миллиард долларов в поддержку научных исследований в течение пяти лет
2026-10-10
Американская компания GlobalFoundries и тайваньская TSMC подписали соглашение о производстве кремниевых интерпозеров на сумму 2 миллиарда долларов
2026-10-09
Швейцарская ZuriQ и немецкая Infineon расширяют сотрудничество в разработке квантовых чипов
2026-10-09
EMD Electronics открыла в США центр исследований и разработок полупроводниковых материалов площадью 3500 квадратных метров
2026-10-07
SpaceX планирует привлечь 40 миллиардов долларов на закупку чипов Nvidia
2026-10-07
Американская компания Skyworks завершила слияние с Qorvo, ожидаемый годовой синергетический эффект по затратам составит 500 млн долларов
2026-10-06
Vanguard и NXP рассматривают возможность строительства второго завода по производству 12-дюймовых чипов в Сингапуре
2026-10-04
Infineon откроет новый завод в Таиланде 1 октября, инвестиции превысят 48 млрд тайских батов
2026-10-01
Qualcomm оценивает 2-нм техпроцесс Samsung для чипов следующего поколения
2026-09-29