Компания Navitas Semiconductor представила на выставке Computex 2026 в Тайбэе плату питания 800 В для ИИ

Репортаж от Wedoany，Компания Navitas Semiconductor в рамках выставки Computex 2026 в Тайбэе продемонстрировала плату питания постоянного тока 800 В / 6 В для платформы NVIDIA MGX. Данное изделие, использующее технологию GaNFast, позволяет исключить традиционный промежуточный преобразователь 48 В в серверном лотке, повышая эффективность системы, её надёжность и экономя пространство.

Плата питания использует 16 силовых транзисторов GaNFast с номинальным напряжением 650 В и сопротивлением открытого канала 11 мОм, выполненных в новом корпусе DFN8×8 с двусторонним охлаждением. Целевая пиковая эффективность составляет 97,5% при рабочей частоте 1 МГц, а плотность мощности достигает 2100 Вт на кубический дюйм. Её сверхтонкий форм-фактор примерно на 20% тоньше толщины смартфона, что позволяет размещать плату в непосредственной близости от графического процессора для оптимизации переходных характеристик и повышения эффективности распределения питания.

Крис Аллесандр, президент и главный исполнительный директор Navitas Semiconductor, отметил, что по мере расширения рабочих нагрузок искусственного интеллекта и возникновения беспрецедентных вычислительных потребностей, электропитание становится ключевой проблемой для создания интеллектуальных заводов следующего поколения гигаваттного уровня. Сотрудничая с экосистемой NVIDIA MGX, Navitas предлагает технологии силовой электроники на основе нитрида галлия и карбида кремния, обеспечивающие более высокую плотность мощности, меньшую занимаемую площадь в системе и улучшенные тепловые характеристики для мегаваттных серверных стоек ИИ, способствуя ускорению перехода к более эффективной и масштабируемой инфраструктуре искусственного интеллекта.

Компания Navitas Semiconductor предлагает комплексный портфель технологий силовой электроники на широкозонных полупроводниках, закладывая основу для инфраструктуры заводов искусственного интеллекта следующего поколения. Её решения на основе карбида кремния GeneSiC поддерживают эффективное электропитание от сети до вычислительных стоек, охватывая такие ключевые приложения, как твердотельные трансформаторы. В ассортимент входят сверхвысоковольтные силовые модули на 2300 В и 3300 В из карбида кремния, а также высокомощные трёхфазные блоки питания на основе 1200-вольтовых SiC MOSFET последнего пятого поколения. В совокупности эти технологии помогают центрам обработки данных повышать эффективность, плотность мощности и надёжность системы.

Технология GaNFast от Navitas обеспечивает высокочастотное и эффективное преобразование постоянного тока для удовлетворения быстрорастущих потребностей в электроэнергии графических процессоров искусственного интеллекта. Используя превосходные переключательные характеристики нитрида галлия, данное решение способно работать на частотах мегагерцового диапазона, обеспечивая более высокую плотность мощности и более быстрый переходный отклик, что позволяет эффективно передавать электроэнергию непосредственно от уровня стойки к графическому процессору.

Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com