Репортаж от Wedoany，27 июля компания Samsung Electronics опубликовала интервью с руководителем отдела технологических разработок полупроводникового подразделения Ку Джа Хымом (Koo Ja-heum). Samsung официально раскрыла ключевую технологическую дорожную карту для своей восьмой памяти с высокой пропускной способностью (HBM5).
Ку Джа Хым объявил, что скорость работы следующего поколения памяти HBM5, как ожидается, будет более чем на 50% выше, чем у предыдущего поколения HBM4E, а базовый кристалл (Base Die) HBM5 впервые в истории будет изготовлен по 2-нм техпроцессу на основе транзисторной структуры с круговым затвором (GAA). Это первый случай в мировой полупроводниковой отрасли, когда передовой 2-нм техпроцесс применяется для производства базовых чипов HBM.
Что касается конкретных технических характеристик и архитектурной эволюции, Ку Джа Хым подробно отметил в интервью, что с переходом продуктов HBM к более высоким поколениям требования отрасли к производительности обработки данных и общей энергоэффективности становятся чрезвычайно жесткими. Чтобы удовлетворить крайнюю потребность в вычислительной мощности в области искусственного интеллекта и суперкомпьютеров, HBM5, помимо полного внедрения 2-нм техпроцесса GAA, также будет использовать технологию межсоединений через кремниевые переходы (TSV) с более высокой степенью интеграции и плотности на уровне базового чипа.
По сравнению с традиционной структурой FinFET, архитектура GAA позволяет затвору полностью охватывать канал тока с четырех сторон, обеспечивая более точное управление током, что значительно повышает производительность передачи данных и одновременно существенно снижает общее энергопотребление.
Что касается сроков внедрения технологического перехода, Samsung представила четкий план.
Ку Джа Хым подчеркнул, что ранее Samsung применяла зрелый 4-нм техпроцесс четвертого поколения для производства базовых чипов HBM4 и HBM4E. Основываясь на богатом опыте, данных о выходе годных изделий и базовой технологической конкурентоспособности, накопленных в процессе разработки и массового производства 4-нм базовых чипов HBM4, Samsung Electronics решила принять более активную технологическую стратегию и напрямую внедрить 2-нм техпроцесс GAA в поколении HBM5.
В то же время Ку Джа Хым в интервью особо отметил уникальное преимущество производственной системы «под ключ» (Turnkey) в отрасли, которой обладает Samsung Electronics. Он пояснил, что HBM — это сложный продукт, состоящий из стека основных кристаллов памяти (Core Die) и базового логического чипа. Samsung может реализовать полный внутренний цикл: от производства основных чипов подразделением памяти и базовых чипов подразделением контрактного производства до окончательной гетерогенной интеграции командой по передовой упаковке. Такая полностью автономная и контролируемая модель сотрудничества не только значительно сокращает цикл разработки и время массового производства HBM5, но и обеспечивает значительные преимущества в контроле производственных затрат.
Кроме того, Ку Джа Хым раскрыл общий прогресс Samsung в области 2-нм контрактного производства: после первого в мире запуска массового производства 3-нм техпроцесса GAA, Samsung во второй половине 2025 года начал массовое производство первого поколения 2-нм техпроцесса и планирует во второй половине 2026 года запустить массовое производство второго поколения 2-нм техпроцесса с улучшенными производительностью и выходом годных. В настоящее время заказы от ключевых клиентов, включая Tesla, продолжают расти.
Говоря о будущем развитии полупроводниковой экосистемы в целом, Ку Джа Хым отметил, что Samsung Electronics не ограничивается только текущей горячей областью AI-ускорителей и высокопроизводительных вычислений (HPC). С внедрением передовых технологий, таких как 2-нм техпроцесс и HBM5, Samsung активно расширяет глубокое сотрудничество с более широким кругом отраслевых клиентов.
Компания планирует широко применять передовые HBM и услуги контрактного производства по индивидуальным заказам в таких новых аппаратных областях, как интеллектуальные мобильные устройства, автомобильные электронные платформы следующего поколения и передовые роботы. Благодаря междисциплинарному обеспечению базовой вычислительной мощности и памяти, Samsung Electronics стремится возглавить дальнейшее развитие и укрепление глобальной полупроводниковой экосистемы.
