Репортаж от Wedoany，Министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick) на мероприятии, посвященном заводу Micron, напрямую обратился к Samsung Electronics и SK hynix, потребовав расширить их инвестиции в производство полупроводниковой памяти в США. Этот сигнал свидетельствует о том, что американское правительство усиливает давление, стремясь привлечь производственные базы мировых полупроводниковых компаний в свою страну.

Лютник присутствовал на церемонии заливки бетона на заводе Micron в Клее (штат Нью-Йорк) и упомянул инвестиции этих двух южнокорейских компаний в США. Он заявил, что ведет переговоры с Samsung Electronics и SK hynix о возможностях инвестирования в производственные мощности в США, но не раскрыл конкретных деталей обсуждений. Лютник сказал: «Мы также хотим привлечь конкурентов Samsung Electronics и SK hynix в США для строительства производственных объектов». Он также отметил, что Micron лидирует в инвестициях в США, и конкуренты последуют за ним, подтвердив политический курс администрации Трампа на защиту американских компаний и инвестиций в интеллектуальную собственность.

Высказывания Лютника были восприняты как требование к Samsung Electronics и SK hynix выйти за рамки существующих инвестиций в США и построить заводы по производству памяти. В настоящее время Samsung Electronics строит контрактный завод в Тейлоре (штат Техас); SK hynix планирует создать в Индиане производственную базу для передовой упаковки памяти для искусственного интеллекта (ИИ) и научно-исследовательский центр. Однако инвестиции обеих компаний в США не включают заводы по производству пластин для DRAM и NAND.

Правительство США проводит политику расширения инвестиций в отечественные производственные мощности, чтобы снизить зависимость цепочек поставок полупроводников от зарубежных стран. Это делается путем предоставления субсидий и налоговых льгот, а также упоминания возможности введения тарифов, чтобы оказывать давление на мировые полупроводниковые компании, требуя от них локального производства.

Micron в тот же день объявила, что к 2035 году инвестирует более 250 миллиардов долларов (около 375 триллионов вон) в производственные мощности и технологии в США, что на 50 миллиардов долларов больше предыдущего плана в 200 миллиардов долларов. Инвестиции включают строительство нового завода по производству пластин в штате Нью-Йорк, расширение и модернизацию производственных объектов в Айдахо и Вирджинии. Micron также провела первую заливку бетона на заводе в Нью-Йорке более чем на квартал раньше запланированного срока. Компания нацелена на производство 40% объема DRAM в США, и ожидается, что инвестиционный процесс создаст более 90 000 рабочих мест по всей стране.

Micron также осуществит отдельные инвестиции для укрепления экосистемы цепочки поставок полупроводников в США, планируя предоставить до 3 миллиардов долларов поддержки партнерам по материалам и компонентам. Из них 500 миллионов долларов будут направлены на поддержку расширения производства кремниевых пластин тайваньской компании GlobalWafers в Техасе, а также на заключение долгосрочных контрактов на поставку. Расширение инвестиций Micron интерпретируется как стремление компании обеспечить производственные базы в США на фоне роста спроса на DRAM и высокопроизводительную память (HBM) из-за распространения ИИ-инфраструктуры, а также повысить производственные мощности и конкурентоспособность цепочки поставок для противостояния доминированию Samsung Electronics и SK hynix на мировом рынке памяти.