SK Hynix изучает углубление сотрудничества с японской Kioxia в сфере NAND

Репортаж от Wedoany，27 августа генеральный директор SK Hynix Го Но Джон заявил в Уэст-Лафейетте, штат Индиана, что компания изучает возможность дальнейшего углубления сотрудничества с японской Kioxia и тщательно оценивает, каким образом совместно с клиентами и поставщиками расширять рынок флэш-памяти NAND. Относительно связанных с долей SK Hynix в Kioxia договорённостей Го Но Джон отметил, что на данный момент «определённых планов нет», и компания ещё не утвердила дальнейшую схему владения акциями.

Между SK Hynix и Kioxia в настоящее время существуют косвенные капитальные отношения. Согласно годовым ценным бумагам Kioxia, по состоянию на 31 марта 2026 года BCPE Pangea Cayman2 владела 77,4 млн акций Kioxia, что составляло 14,17% выпущенных обыкновенных акций. SK Hynix владеет облигациями, конвертируемыми в акции, дающие практически все права голоса BCPE Pangea Cayman2; согласно соглашению между сторонами, без согласия Kioxia SK Hynix до 2028 года не имеет права владеть более чем 15% от общего числа голосов Kioxia. По состоянию на конец марта 2026 года соответствующие облигации ещё не были конвертированы.

10 августа Kioxia подтвердила, что BCPE Pangea Cayman2 стала крупнейшим акционером компании. По состоянию на 3 августа данный субъект по-прежнему владел 77,4 млн акций, что соответствовало 14,19% голосов; доля Toshiba снизилась до 77 038 200 акций, а доля голосов — до 14,12%, в результате чего Toshiba опустилась с первого на второе место среди акционеров. Количество акций BCPE Pangea Cayman2 до и после изменения порядка акционеров составляло 77,4 млн.

В день выступления Го Но Джона Kioxia и Sandisk объявили о новом раунде инвестиционных планов в японское производство флэш-памяти. Стороны планируют до 2032 года инвестировать более 31 млрд долларов США, что эквивалентно примерно 5 трлн иен; средства будут направлены на заводы в Йоккаити, Китаками, а также на соответствующую инфраструктуру и технологии. Реализация инвестиций обусловлена получением государственной поддержки. В январе этого года стороны уже продлили совместную рамочную программу по Йоккаити до декабря 2034 года, охватывающую совместную разработку и производство флэш-пластин.

В тот же день Kioxia приступила к подготовке площадки и связанным работам для строительства завода Fab3 в Китаками, префектура Ивате. Fab3 расположен к югу от существующего Fab2 и предназначен для производства передовой трёхмерной флэш-памяти BiCS FLASH, с целью начала эксплуатации в 2029 финансовом году. Конкретные сроки строительства и объёмы инвестиций в оборудование будут определены исходя из рыночной ситуации; соответствующие инвестиционные планы также обусловлены государственной поддержкой.