Репортаж от Wedoany，2 июля по местному времени американская компания SanDisk объявила о начале поставок образцов флэш-памяти 3D NAND десятого поколения BiCS10 объёмом 1 Тбит (TLC). Данный продукт увеличивает количество слоёв хранения до 332 и интегрирует протоколы Toggle DDR6.0, SCA и технологию PI-LTT, ориентируясь на потребности в высокоскоростной, энергоэффективной и высокоплотной передаче данных.
BiCS10 1Tb TLC продолжает архитектуру трёхмерной NAND SanDisk BiCS и использует технологию сращивания пластин CBA, при которой CMOS-логика и массив памяти изготавливаются отдельно, а затем соединяются с высокой точностью методом «пластина к пластине». Это позволяет повысить плотность хранения на ограниченной площади чипа, одновременно оставляя пространство для проектирования скорости интерфейса, энергопотребления и эффективности ввода-вывода. Согласно опубликованным данным SanDisk, плотность хранения BiCS10 TLC превышает 29 Гбит/мм², что на 59% выше по сравнению с восьмым поколением 3D NAND, находящимся в серийном производстве; максимальная скорость интерфейса NAND достигает 4,8 Гбит/с, что на 33% выше. Для SSD, корпоративных накопителей и устройств с высокой пропускной способностью более высокая скорость интерфейса означает улучшение передачи данных между флэш-чипом и контроллером, что в дальнейшем потребует согласования с контроллером, прошивкой, архитектурой каналов и схемой упаковки для преобразования в общую производительность накопителя.
332-слойная структура отражает продолжающееся движение 3D NAND к увеличению количества слоёв и плотности. С ростом числа слоёв производственный процесс сталкивается с такими проблемами, как травление глубоких отверстий, осаждение тонких плёнок, межслойная согласованность, контроль выхода и проверка надёжности, причём техническая сложность заключается не только в увеличении высоты.
SanDisk также подчеркнула использование протоколов Toggle DDR6.0, SCA и технологии PI-LTT. Toggle DDR6.0 предназначен для повышения пропускной способности интерфейса NAND, протокол SCA разделяет шину ввода команд/адресов и шину передачи данных, позволяя этим двум типам сигналов работать параллельно, что сокращает время ввода-вывода данных. PI-LTT, используя как существующий источник питания 1,2 В, так и дополнительный низковольтный источник в цепи питания интерфейса NAND, снижает энергопотребление при вводе-выводе данных. Официальные данные показывают, что по сравнению с BiCS8, энергопотребление при вводе данных в BiCS10 TLC снижено на 10%, а при выводе — на 34%. Эти улучшения повлияют на энергоэффективность мобильных устройств, клиентских SSD, корпоративных SSD и систем хранения данных в центрах обработки данных, особенно на фоне роста объёмов наборов данных для ИИ, видеоконтента, журналов данных и смешанного хранения горячих и холодных данных в облаке, когда устройства хранения должны одновременно обеспечивать ёмкость, пропускную способность, энергоэффективность и долгосрочную стабильность работы.
После перехода BiCS10 1Tb TLC на стадию образцов, заказчикам нижнего уровня предстоит продолжить работу над адаптацией контроллера, оптимизацией прошивки, конструкцией упаковки, системной верификацией и тестированием надёжности. Переход флэш-чипов NAND от образцов к массовому внедрению в конечные продукты обычно включает проверку заказчиком, сертификацию платформы, наращивание объёмов производства и комбинирование различных ёмкостей. SanDisk представила не новый конечный SSD, а обновление базового технологического узла флэш-памяти; в дальнейшем это повлияет на проектные возможности потребительских SSD, корпоративных SSD, встроенных накопителей, систем хранения данных в центрах обработки данных и высокоёмких флэш-продуктов. С расширением рабочих нагрузок, управляемых ИИ, объёмы чтения данных, хранения параметров моделей, управления обучающими выборками и журналов вывода будут постоянно расти, и улучшения плотности, скорости интерфейса и энергоэффективности 3D NAND продолжат влиять на критерии выбора систем хранения.
