Репортаж от Wedoany，Компания SemiQ Inc. расширила серию полумостовых MOSFET-модулей QSiC™ Dual3, добавив опции с повышенной тепловой производительностью на подложке из нитрида алюминия (AlN) с предварительно нанесённым термоинтерфейсным материалом (TIM), а также устройства на 1700 В. Данная серия ориентирована на применение в AC-DC-преобразователях и твердотельных трансформаторах (SST) в системах электропитания центров обработки данных для ИИ, в сетевых преобразователях для систем накопления энергии, а также в промышленных приводах двигателей.
Модули данной серии могут использоваться для создания преобразователей электроэнергии с ведущей в отрасли эффективностью преобразования и плотностью мощности. В серию входят устройства с опционально подключаемыми диодами Шоттки с барьером Шоттки (SBD) для снижения коммутационных потерь и повышения эффективности при высоких температурах. Некоторые устройства имеют сопротивление открытого канала (RDSon) всего 1 мОм при уровне мощности 1150 А, 1200 В и размерах корпуса 62 x 152 мм.
Модули спроектированы для прямой замены IGBT-модулей без необходимости значительной переработки конструкции. Все MOSFET-чипы проходят тестирование на старение подзатворного оксида на пластине при напряжении свыше 1450 В. Модули обладают низким тепловым сопротивлением переход-корпус, что позволяет использовать более компактные и лёгкие радиаторы, упрощая системное проектирование.
Доктор Тимоти Хан, президент SemiQ, отметил, что центры обработки данных требуют круглосуточной непрерывной работы, и максимизация эффективности имеет решающее значение. Данная серия отличается гибкой конструкцией и ведущей в отрасли плотностью мощности, поддерживая активные входные каскады и приводы компрессоров в приложениях с жидкостным охлаждением, что позволяет уменьшить размеры и вес по сравнению с традиционными кремниевыми IGBT-решениями, обеспечивая при этом всю эффективность SiC.
Доктор Тимоти Хан добавил, что благодаря новым опциям с повышенной тепловой производительностью эти модули также проектируются в основные AC-DC-преобразователи питания и SST. Это обеспечивает прямое преобразование из среднего напряжения 13,8 кВ или 35 кВ переменного тока в высокое напряжение 800 В постоянного тока, удовлетворяя потребности современных систем электропитания центров обработки данных в сверхэффективной работе.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
