Репортаж от Wedoany，18 июня южнокорейская компания SK Hynix объявила о поставке ключевым клиентам образцов 12-слойной памяти HBM4E. Данный продукт представляет собой сверхвысокопроизводительную DRAM следующего поколения для приложений искусственного интеллекта, являясь модернизированной версией высокопроизводительной памяти, предназначенной в основном для ускорителей ИИ и вычислительных сценариев крупных центров обработки данных.
HBM4E — это улучшенная версия после HBM4, разработанная для более высокой пропускной способности данных, меньшего энергопотребления и улучшенного отвода тепла. Поставляемый SK Hynix 12-слойный образец повышает плотность хранения данных за счет вертикальной упаковки нескольких слоев DRAM в одном стеке, с целью удовлетворения потребностей генеративного ИИ, обучения больших моделей и высокопроизводительных вычислений в высокопроизводительной памяти.
С точки зрения производительности, 12-слойный образец HBM4E обеспечивает скорость обработки данных до 16 Гбит/с на контакт. По сравнению с предыдущими продуктами, энергоэффективность данного изделия повышена более чем на 20%, что способствует снижению нагрузки на энергопотребление ИИ-серверов при высоких нагрузках. Для центров обработки данных ИИ производительность высокопроизводительной памяти влияет не только на скорость обмена данными между чипами, но и напрямую связана с общей энергоэффективностью, конструкцией охлаждения и стоимостью развертывания системы.
SK Hynix также продолжает использовать и совершенствовать технологию MR-MUF в процессе упаковки. Данная технология повышает стабильность многослойной структуры чипов и улучшает отвод тепла за счет заполнения защитным материалом между упакованными чипами. Согласно текущим новостям на корейском языке, тепловое сопротивление данного продукта снижено примерно на 17% по сравнению с HBM4, что имеет важное значение для стабильной работы 12-слойного продукта высокой плотности.
Данная поставка образцов означает, что HBM4E вступила в стадию проверки клиентами. Для памяти ИИ поставка образцов является лишь важным шагом перед массовым производством, после чего потребуются клиентские испытания, оптимизация производительности, адаптация платформы и подготовка к серийным поставкам. SK Hynix не раскрыла конкретный список клиентов, однако ее продукция HBM долгое время ориентирована на клиентов в сфере ИИ-чипов и центров обработки данных, и прогресс проверки клиентами напрямую повлияет на последующий график массового производства.
Конкуренция на рынке HBM ускоряется. Samsung Electronics уже в конце мая объявила о поставке 12-слойных образцов HBM4E ключевым мировым клиентам, а Micron также продвигает разработку высокопроизводительной памяти следующего поколения. Начало поставок 12-слойных образцов HBM4E компанией SK Hynix приведет к дальнейшему обострению конкуренции между двумя крупными южнокорейскими производителями памяти в области сертификации клиентов и окна массового производства памяти ИИ следующего поколения.
В дальнейшем необходимо следить за тем, сможет ли SK Hynix завершить оптимизацию производительности в соответствии с графиком проверки клиентов и обеспечить масштабные поставки HBM4E к 2027 году. Поскольку требования ИИ-серверов к пропускной способности, емкости, энергопотреблению и отводу тепла продолжают расти, прогресс в массовом производстве 12-слойной HBM4E станет важным этапом для оценки структуры поставок памяти ИИ следующего поколения.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
