Репортаж от Wedoany，Компания SK Hynix скорректировала план по выпуску 3D-NAND флэш-памяти следующего поколения: её продукт V10 будет использовать технологию с 375 слоями, а в производственный процесс будет внедрён молибден (Molybdenum) для замены части вольфрамовых плёнок, чтобы справиться с проблемами электрических соединений, возникающими при увеличении числа слоёв.
Продукт V9 этой компании уже достиг 321 слоя, что является самым высоким показателем среди серийно выпускаемых NAND-флэш-накопителей. Увеличение числа слоёв с V9 до V10 составило 54 слоя, что относительно консервативно. По данным южнокорейского СМИ The Elec, ссылающегося на отраслевые источники, SK Hynix ранее также рассматривала 400 слоёв в качестве цели для V10, но снизила план из-за «сложностей производства». Для сравнения, конкурент Samsung в своём десятом поколении V10 совершил резкий скачок с 286 слоёв (V9) до 4xx слоёв, предположительно около 430.
С увеличением числа слоёв ячеек памяти сложность электрических соединений соответственно возрастает. В структуре с 375 слоями SK Hynix использует молибден для замены части вольфрамовых плёнок в линиях слов (word line). Ширина проводников продолжает уменьшаться, сопротивление вольфрама возрастает, что влияет на передачу сигнала; молибден же обладает более низким сопротивлением, что способствует повышению скорости чтения и записи. Кроме того, при осаждении молибдена не требуется дополнительный барьерный слой (barrier layer), как в случае с вольфрамом, что позволяет формировать плёнку напрямую и способствует созданию более плотной структуры. Однако, как отмечается в отчёте, новый процесс предъявляет высокие требования к технической реализации.
Согласно дорожной карте SK Hynix, отраслевые источники сообщают, что число слоёв в последующих поколениях продуктов (предположительно V11 и V12) будет увеличено до 480 и 608 слоёв соответственно. Что касается Samsung, то недавно в ходе предварительных испытаний ей удалось успешно реализовать 900-слойную структуру, однако этот результат ещё далёк от серийного производства.
Что касается сроков начала массового производства, то, по сводным данным исследовательской компании TrendForce, 375-слойная NAND от SK Hynix, как ожидается, поступит в серийное производство в конце 2026 года; 4xx-слойная NAND от Samsung запланирована на вторую половину 2026 года; а BiCS10 (332 слоя) от Kioxia может начать выпускаться в течение 2026 финансового года или в начале 2027 года. Несмотря на относительно небольшое число слоёв, BiCS10, совместно продемонстрированная Kioxia и её партнёром Sandisk на ISSCC, достигла на тот момент самой высокой плотности хранения данных — почти 5 ГБ/мм².
В то время как основные конкуренты один за другим продвигают продукты десятого поколения, Micron хранит молчание. После G9 (276 слоёв) Micron планирует выпустить G10, но публичной информации крайне мало. Согласно статье EE World, ожидается, что в G10 будет использоваться технология «ограниченного узла хранения (Confined SN)» для уменьшения взаимных помех между ячейками, что позволит продлить срок службы ячеек памяти и сократить время записи примерно на 10%.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
