Репортаж от Wedoany，Производитель полупроводников Nexperia объявил о расширении своего портфеля промышленных мощных нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов (FET) на 650 В, добавив три новых типономинала: 35 мОм, 50 мОм и 70 мОм, все в стандартных корпусах TO-247-3, TO-247-4, TOLL и TOLT. Данная серия устройств ориентирована на применение в областях с высокими требованиями к преобразованию мощности, таких как источники питания для центров обработки данных и телекоммуникаций, системы возобновляемой энергии, накопители энергии (BESS), а также промышленные приводы и автоматизация.
Рыночный контекст, стимулирующий это расширение, включает: стремительный рост AI-вычислений, повышающий требования к мощности стоечных источников питания с уровня ниже 3 кВт до 5–12 кВт; а также тенденции электрификации промышленности и возобновляемой энергетики, требующие более высоких частот переключения и КПД. В этих условиях широкозонные технологии, такие как GaN, рассматриваются как ключевой путь к достижению более высокого КПД, меньших габаритов систем и лучшего термоуправления в архитектурах преобразования мощности следующего поколения.
Андреа Бриккони, вице-президент и руководитель группы продуктов GaN в Nexperia, отметил, что переход на широкозонные силовые полупроводники ускоряется в промышленных, энергетических и AI-инфраструктурных приложениях. Компания стремится сделать технологию GaN более доступной и масштабируемой для разработчиков мощных приложений, и данное расширение портфеля продуктов является лишь началом их пути в области широкозонных полупроводников.
На системном уровне эти GaN-приборы преодолевают ограничения традиционных кремниевых решений за счет более высоких частот переключения и сниженных потерь при переключении и в открытом состоянии. Разработчики могут достичь более высокой плотности мощности, КПД, а также снизить требования к охлаждению и общую стоимость системы. Более высокие частоты переключения также позволяют использовать меньшие по размеру пассивные и магнитные компоненты, поддерживая более компактные и масштабируемые силовые архитектуры.
В высокомощном каскаде LLC типичного AI-серверного источника питания (PSU) мощностью 10–12 кВт использование GaN-приборов по сравнению с кремниевыми обеспечивает прирост КПД примерно на 0,8–1,2% при полной нагрузке, одновременно повышая плотность мощности на каскаде примерно на 40–70%. В типичном высоковольтном приводе двигателя мощностью 1 кВт GaN-приборы позволяют снизить потери мощности в инверторе примерно на 20–25%, обеспечивая прирост КПД примерно на 1–1,5%, а также поддерживают более компактные решения по термоуправлению и более высокую общую плотность мощности.
Вышеуказанные устройства основаны на технологической платформе GaN от Nexperia, обладают быстрым переключением, низкими потерями на переключение, управляемым динамическим поведением и надежными тепловыми характеристиками. Они предлагаются в нескольких стандартных типах корпусов для оптимизации электрических и механических параметров конструкции, что упрощает их интеграцию в существующие архитектуры систем питания.
Приборы на 35 мОм и 70 мОм уже доступны в корпусах TOLL, TOLT, TO-247-3 и TO-247-4. Модель на 50 мОм планируется к выпуску в третьем квартале 2026 года.
Данный материал скомпилирован платформой Wedoany. При цитировании материалов, созданных с помощью искусственного интеллекта (ИИ), необходимо обязательно указывать источник — «Wedoany». В случае выявления нарушения прав или иных проблем просим своевременно информировать нас. Сайт оперативно внесёт изменения или удалит материал.Электронная почта: news@wedoany.com
