1/1

Карбид кремниевые устройства

Обсуждение цен

XI'AN XD POWER SYSTEMS CO., LTD.

Регион:

Китай

Адр.:

№ 2, Западная вспомогательная дорога, Западная Третья кольцевая дорога, район Янта, город Сиань, провинция Шэньси

Консультации:

+86-29-88828215

Почта:

289817457@qq.com

Онлайн

В избр.

Карбидокремниевые устройства благодаря своим собственным характеристикам материала (широкая ширина запрещенной зоны, высокая напряженность пробоя, низкое сопротивление в открытом состоянии, низкое тепловое сопротивление и т.д.) по сравнению с кремниевыми компонентами подходят для высоких температур перехода, высоких напряжений пробоя, высокой мощности, больших токов и т.д., удовлетворяя новым потребностям развития в электроэнергетической промышленности.
o Карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC SBD)

Сверхбыстрая скорость переключения, чрезвычайно малый обратный ток восстановления, значительно снижают потери при переключении, обеспечивая выдающуюся энергоэффективность.
o Карбидокремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET)

Низкие потери, более высокая скорость переключения, высокое напряжение блокировки, способность работать в условиях высоких температур, что позволяет миниатюризировать всю систему.
o Карбидокремниевые силовые модули (SiC Power Module)
Модульная интеграция и упаковка нескольких карбидокремниевых чипов, что дополнительно повышает токовую емкость карбидокремниевых силовых устройств. По сравнению с кремниевыми силовыми модулями, потери при переключении и объем значительно снижены. Их уникальные преимущества, такие как высокое напряжение, большой ток, высокая температура, высокая частота и низкие потери, значительно повысят эффективность преобразования существующих энергетических систем.

SiC MOSFET

№	Модель	Напряжение сток-исток пробойное VDss (В)	Непрерывный ток стока ID (А)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on), Typ. (мОм) VGS = 20 В	Напряжение затвор-исток (В)	Тип корпуса
1	SA1M12000020D	1200	120	20	20	TO-247 (3 pin)
2	SA1M12000040D	1200	80	40	20
3	SA1M12000065D	1200	40	65	20
4	SA1M12000120D	1200	25	120	20
5	SA1M12000160D	1200	20	160	20
6	SA1M17000040D	1700	60	40	20
7	SA1M17000080D	1700	35	80	20
8	SA1M17001000D	1700	2	1000	20
9	SA1M33000060	3300	45	60	20	Голый кристалл (die)
10	SA1M33001000	3300	2	1000	20	Голый кристалл (die)

SiCSBD
No	Модель	Абсолютные максимальные номинальные значения				Электрические характеристики		Тип корпуса
		Максимальное обратное пиковое напряжение VRM(V)	Максимальное обратное напряжение VR(V)	Номинальный прямой ток (IF)(A)	Максимальный импульсный ток IFSM(A)	Прямое напряжение VF(V),Typ.	Обратный ток насыщения IR(μA),Max
1	SA1D065001SA	650	650	1	7	1.5	10	TO-220AC (2pin) TO-247 (2pin)
2	SA1D065002SA	650	650	2	15	1.5	10
3	SA1D065004SA	650	650	4	25	1.5	20
4	SA1D065006SA	650	650	6	45	1.5	30
5	SA1D065008SA	650	650	8	50	1.5	40
6	SA1D065010SA	650	650	10	55	1.5	50
7	SA1D065012SA	650	650	12	60	1.5	60
8	SA1D065015SA	650	650	15	80	1.5	70
9	SA1D120001SA	1200	1200	1	6	1.5	10
10	SA1D120002SA	1200	1200	2	12	1.5	20
11	SA1D120004SA	1200	1200	4	24	1.5	25
12	SA1D120006SA	1200	1200	6	36	1.5	30
13	SA1D120008SA	1200	1200	8	48	1.5	35
14	SA1D120010SA	1200	1200	10	60	1.5	40
15	SA1D065001SC	650	650	1	7	1.5	10
16	SA1D065002SC	650	650	2	15	1.5	10
17	SA1D065004SC	650	650	4	25	1.5	20
18	SA1D065006SC	650	650	6	45	1.5	30
19	SA1D065008SC	650	650	8	50	1.5	40
20	SA1D065010SC	650	650	10	55	1.5	50
21	SA1D065012SC	650	650	12	60	1.5	60
22	SA1D065015SC	650	650	15	80	1.5	70
23	SA1D065020SC	650	650	20	100	1.5	80
24	SA1D065030SC	650	650	30	150	1.5	100
25	SA1D065040SC	650	650	40	180	1.5	100
26	SA1D065050SC	650	650	50	200	1.5	100
27	SA1D120001SC	1200	1200	1	6	1.5	10
28	SA1D120002SC	1200	1200	2	12	1.5	20
29	SA1D120004SC	1200	1200	4	24	1.5	25
30	SA1D120006SC	1200	1200	6	36	1.5	30
31	SA1D120008SC	1200	1200	8	48	1.5	35
32	SA1D120010SC	1200	1200	10	60	1.5	40
33	SA1D120020SC	1200	1200	20	120	1.5	80
34	SA1D120030SC	1200	1200	30	180	1.5	90
35	SA1D120040SC	1200	1200	40	220	1.5	100
36	SA1D120020DD	1200	1200	10/20*	60/120*	1.5	70	TO-247 (3pin)
37	SA1D120040DD	1200	1200	20/40*	120/240*	1.5	160	TO-247 (3pin)
38	SA1D330001S	3300	3300	1	4	1.75	50	Голый кристалл (die)
39	SA1D500002S	5000	5000	2	6	3.8	100	Голый кристалл (die)